四川师范大学学报（自然科学版）
四川師範大學學報（自然科學版）
사천사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2009年
6期
781-785
,共5页
董成军%陈青云%徐明%周海平%段满益%胡志刚
董成軍%陳青雲%徐明%週海平%段滿益%鬍誌剛
동성군%진청운%서명%주해평%단만익%호지강
Si掺杂InN%第一性原理%电子结构%光学性质
Si摻雜InN%第一性原理%電子結構%光學性質
Si참잡InN%제일성원리%전자결구%광학성질
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.
採用基于密度汎函理論框架下的第一性原理平麵波超軟贗勢(PWP)方法,結閤廣義梯度近似(GGA)計算瞭Si摻雜的InN的電子結構和光學性質,包括能帶結構、態密度、介電常數、吸收繫數、反射和電子能量損失等.計算錶明摻入Si後電子趨于深能級分佈,介電函數虛部齣現新峰、反射峰的彊度有所增彊,吸收邊和電子能量損失譜有藍移現象;這些變化與Si摻雜後引起電子密度改變有關.
채용기우밀도범함이론광가하적제일성원리평면파초연안세(PWP)방법,결합엄의제도근사(GGA)계산료Si참잡적InN적전자결구화광학성질,포괄능대결구、태밀도、개전상수、흡수계수、반사화전자능량손실등.계산표명참입Si후전자추우심능급분포,개전함수허부출현신봉、반사봉적강도유소증강,흡수변화전자능량손실보유람이현상;저사변화여Si참잡후인기전자밀도개변유관.
