压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2013年
2期
261-264
,共4页
陈冲%吴传贵%彭强祥%罗文博%张万里%王书安
陳遲%吳傳貴%彭彊祥%囉文博%張萬裏%王書安
진충%오전귀%팽강상%라문박%장만리%왕서안
锆钛酸铅(PZT)厚膜%直流磁控溅射%TiOx%热释电性能
鋯鈦痠鉛(PZT)厚膜%直流磁控濺射%TiOx%熱釋電性能
고태산연(PZT)후막%직류자공천사%TiOx%열석전성능
在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用电泳沉积制备PZT热释电厚膜材料.为防止Pb和Si互扩散,在Pt底电极与SiO2/Si衬底间通过直流磁控溅射制备了TiOx薄膜阻挡层.对具有0、300 nm和500 nm TiOx阻挡层的PZT厚膜材料用SEM和能量色散谱仪(EDS)表征了Pb和Si互扩散情况,用动态热释电系数测量仪测试了热释电系数.结果表明,当TiOx阻挡层为500 nm时,可阻挡Pb和Si互扩散,热释电性能最好.热释电系数p=1.5×10-8 C·cm-2·K-1,相对介电常数εr=170,损耗角正切tanδ=0.02,探测度优值因子Fd=1.05×10-5pa-0.5.
在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,利用電泳沉積製備PZT熱釋電厚膜材料.為防止Pb和Si互擴散,在Pt底電極與SiO2/Si襯底間通過直流磁控濺射製備瞭TiOx薄膜阻擋層.對具有0、300 nm和500 nm TiOx阻擋層的PZT厚膜材料用SEM和能量色散譜儀(EDS)錶徵瞭Pb和Si互擴散情況,用動態熱釋電繫數測量儀測試瞭熱釋電繫數.結果錶明,噹TiOx阻擋層為500 nm時,可阻擋Pb和Si互擴散,熱釋電性能最好.熱釋電繫數p=1.5×10-8 C·cm-2·K-1,相對介電常數εr=170,損耗角正切tanδ=0.02,探測度優值因子Fd=1.05×10-5pa-0.5.
재Pt/Ti/SiO2/Si기편상,이용전영침적제비PZT열석전후막재료.위방지Pb화Si호확산,재Pt저전겁여SiO2/Si츤저간통과직류자공천사제비료TiOx박막조당층.대구유0、300 nm화500 nm TiOx조당층적PZT후막재료용SEM화능량색산보의(EDS)표정료Pb화Si호확산정황,용동태열석전계수측량의측시료열석전계수.결과표명,당TiOx조당층위500 nm시,가조당Pb화Si호확산,열석전성능최호.열석전계수p=1.5×10-8 C·cm-2·K-1,상대개전상수εr=170,손모각정절tanδ=0.02,탐측도우치인자Fd=1.05×10-5pa-0.5.
