红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2013年
2期
132-135
,共4页
王妮丽%刘诗嘉%兰添翼%赵水平%李向阳
王妮麗%劉詩嘉%蘭添翼%趙水平%李嚮暘
왕니려%류시가%란첨익%조수평%리향양
碲镉汞%MIS%钝化
碲鎘汞%MIS%鈍化
제력홍%MIS%둔화
通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.
通過碲鎘汞暘極氧化膜和磁控濺射ZnS膜,結閤HgCdTe器件工藝,成功製備瞭以暘極氧化膜和磁控濺射ZnS雙層鈍化膜為絕緣層的“長波弱P”型HgCdTe MIS器件.通過對器件的C-V特性實驗分析,穫得瞭長波HgCdTe材料的暘極氧化膜/ZnS界麵電學特性參數.併通過穫得的界麵參數,計算瞭暘極氧化和ZnS的雙層鈍化膜的錶麵複閤速度.併對MIS器件的變溫C-V特性進行瞭實驗和分析.
통과제력홍양겁양화막화자공천사ZnS막,결합HgCdTe기건공예,성공제비료이양겁양화막화자공천사ZnS쌍층둔화막위절연층적“장파약P”형HgCdTe MIS기건.통과대기건적C-V특성실험분석,획득료장파HgCdTe재료적양겁양화막/ZnS계면전학특성삼수.병통과획득적계면삼수,계산료양겁양화화ZnS적쌍층둔화막적표면복합속도.병대MIS기건적변온C-V특성진행료실험화분석.
