红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2013年
2期
118-121
,共4页
朱亚旗%陈治明%陆书龙%季莲%赵勇明%谭明
硃亞旂%陳治明%陸書龍%季蓮%趙勇明%譚明
주아기%진치명%륙서룡%계련%조용명%담명
In0.68Ga0.32As%应力释放%InAsxP1-x
In0.68Ga0.32As%應力釋放%InAsxP1-x
In0.68Ga0.32As%응력석방%InAsxP1-x
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68 Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32 As晶格匹配的InAsxP1-x“虚拟”衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在“虚拟”衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68 Ga0.32 As外延层的晶体质量.
採用MOCVD生長技術在InP襯底上成功實現瞭晶格失配的3μm In0.68 Ga0.32As薄膜生長.通過As組分的改變,利用張應變和壓應變交替補償的InAsxP1-x應變緩遲層結構來釋放由于晶格失配所產生的應力,在InP襯底上得到瞭與In0.68Ga0.32 As晶格匹配的InAsxP1-x“虛擬”襯底,通過對緩遲層厚度的優化,使應力能夠在“虛擬”襯底上完全豫弛.通過原子力顯微鏡(AFM)、高分辨XRD、透射電鏡(TEM)和光緻髮光(PL)等測試分析錶明,這種釋放應力的方法能夠有效提高In0.68 Ga0.32 As外延層的晶體質量.
채용MOCVD생장기술재InP츤저상성공실현료정격실배적3μm In0.68 Ga0.32As박막생장.통과As조분적개변,이용장응변화압응변교체보상적InAsxP1-x응변완충층결구래석방유우정격실배소산생적응력,재InP츤저상득도료여In0.68Ga0.32 As정격필배적InAsxP1-x“허의”츤저,통과대완충층후도적우화,사응력능구재“허의”츤저상완전예이.통과원자력현미경(AFM)、고분변XRD、투사전경(TEM)화광치발광(PL)등측시분석표명,저충석방응력적방법능구유효제고In0.68 Ga0.32 As외연층적정체질량.
