中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2013年
4期
51-56
,共6页
物理设计%布局布线%时序收敛%可制造性设计
物理設計%佈跼佈線%時序收斂%可製造性設計
물리설계%포국포선%시서수렴%가제조성설계
随着工艺的不断发展,深亚微米IC物理设计给了我们很大的挑战,比如在时序收敛、电压降、串扰分析等方面带来的挑战.本文以一块高性能单片机芯片的后端设计流程为例,讲述在0.18μm工艺下后端设计过程中所遇到的问题,以及解决问题的新方案,克服了以往后端设计耗时长的缺陷,在短时间内完成了后端设计.
隨著工藝的不斷髮展,深亞微米IC物理設計給瞭我們很大的挑戰,比如在時序收斂、電壓降、串擾分析等方麵帶來的挑戰.本文以一塊高性能單片機芯片的後耑設計流程為例,講述在0.18μm工藝下後耑設計過程中所遇到的問題,以及解決問題的新方案,剋服瞭以往後耑設計耗時長的缺陷,在短時間內完成瞭後耑設計.
수착공예적불단발전,심아미미IC물리설계급료아문흔대적도전,비여재시서수렴、전압강、천우분석등방면대래적도전.본문이일괴고성능단편궤심편적후단설계류정위례,강술재0.18μm공예하후단설계과정중소우도적문제,이급해결문제적신방안,극복료이왕후단설계모시장적결함,재단시간내완성료후단설계.
