电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2013年
4期
19-23
,共5页
潘章杰%冯玢%王磊%郝建民
潘章傑%馮玢%王磊%郝建民
반장걸%풍분%왕뢰%학건민
碳化硅%(0001)Si面%(000-1)C面%化学机械抛光(CMP)%材料去除速率%粗糙度
碳化硅%(0001)Si麵%(000-1)C麵%化學機械拋光(CMP)%材料去除速率%粗糙度
탄화규%(0001)Si면%(000-1)C면%화학궤계포광(CMP)%재료거제속솔%조조도
研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性.分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验.使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率.并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量.发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有Vc＞Vsi;而对于(0001) Si面,有Vsi 酸＞Vsi碱；对于(000-1)C面,有Vc酸＞Vc碱.该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值.
研究瞭SiC襯底(0001)麵和(000-1)麵不同的CMP拋光特性.分彆採用pH值為10.38和1.11的改性硅溶膠拋光液對SiC襯底的(0001)Si麵和(000-1)C麵進行對比拋光實驗.使用精密天平測量晶片拋光前後的質量,計算齣CMP拋光工藝的材料去除速率.併使用彊光燈、微分榦涉顯微鏡和原子力顯微鏡檢測晶片錶麵質量.髮現採用痠性拋光液和堿性拋光液進行拋光,均有Vc＞Vsi;而對于(0001) Si麵,有Vsi 痠＞Vsi堿；對于(000-1)C麵,有Vc痠＞Vc堿.該結論對于探索最佳碳化硅的CMP拋光工藝具有較高價值.
연구료SiC츤저(0001)면화(000-1)면불동적CMP포광특성.분별채용pH치위10.38화1.11적개성규용효포광액대SiC츤저적(0001)Si면화(000-1)C면진행대비포광실험.사용정밀천평측량정편포광전후적질량,계산출CMP포광공예적재료거제속솔.병사용강광등、미분간섭현미경화원자력현미경검측정편표면질량.발현채용산성포광액화감성포광액진행포광,균유Vc＞Vsi;이대우(0001) Si면,유Vsi 산＞Vsi감；대우(000-1)C면,유Vc산＞Vc감.해결론대우탐색최가탄화규적CMP포광공예구유교고개치.
