核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2012年
10期
1125-1128
,共4页
吴文欢%樊磊%王铮%魏微
吳文歡%樊磊%王錚%魏微
오문환%번뢰%왕쟁%위미
高能物理%探测器读出系统%低电压差分信号电路
高能物理%探測器讀齣繫統%低電壓差分信號電路
고능물리%탐측기독출계통%저전압차분신호전로
研制了一种适用于高能物理中探测器读出系统的LVDS芯片,采用极低的电压摆幅实现高速差动传输数据,可以实现点对点或一点对多点的连接和传输.芯片包括驱动和接收两部分,均采用0.35um/3.3 V CMOS工艺设计,测试结果显示芯片基本达到预期研制目标.
研製瞭一種適用于高能物理中探測器讀齣繫統的LVDS芯片,採用極低的電壓襬幅實現高速差動傳輸數據,可以實現點對點或一點對多點的連接和傳輸.芯片包括驅動和接收兩部分,均採用0.35um/3.3 V CMOS工藝設計,測試結果顯示芯片基本達到預期研製目標.
연제료일충괄용우고능물리중탐측기독출계통적LVDS심편,채용겁저적전압파폭실현고속차동전수수거,가이실현점대점혹일점대다점적련접화전수.심편포괄구동화접수량부분,균채용0.35um/3.3 V CMOS공예설계,측시결과현시심편기본체도예기연제목표.