微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
12期
755-757,763
,共4页
刘鹏%张大成%李婷%罗葵%田大宇%李静
劉鵬%張大成%李婷%囉葵%田大宇%李靜
류붕%장대성%리정%라규%전대우%리정
三维刻蚀%反应离子刻蚀%湿法刻蚀%高深宽比%聚合物
三維刻蝕%反應離子刻蝕%濕法刻蝕%高深寬比%聚閤物
삼유각식%반응리자각식%습법각식%고심관비%취합물
通过干法刻蚀,在Si衬底上制备出高深宽比的台阶结构是MEMS加工的基础工艺之一.多层台阶的刻蚀,是一种重要的折线断面制备方法,使实现结构更加复杂的器件成为可能.利用LPCVD生长1μm厚SiO2作为钝化层,围绕多层台阶掩膜的制备方法和移除方法展开实验,以3层台阶为例,开发出一套使用一块光刻版制造任意宽度的台阶掩膜的方法.该方法节约成本、操作简便、重复性好,为加工复杂的三维结构提供了一种新的手段.另外,针对在深刻蚀过程中残留的掩膜会破坏Si台阶完整性的问题,研究了刻蚀过程中SiO2掩膜的去除方法对台阶的表面形貌造成的影响.通过实验发现,采用干湿腐蚀结合的方法可以有效地去除台阶掩膜,获得良好的Si深台阶结构.
通過榦法刻蝕,在Si襯底上製備齣高深寬比的檯階結構是MEMS加工的基礎工藝之一.多層檯階的刻蝕,是一種重要的摺線斷麵製備方法,使實現結構更加複雜的器件成為可能.利用LPCVD生長1μm厚SiO2作為鈍化層,圍繞多層檯階掩膜的製備方法和移除方法展開實驗,以3層檯階為例,開髮齣一套使用一塊光刻版製造任意寬度的檯階掩膜的方法.該方法節約成本、操作簡便、重複性好,為加工複雜的三維結構提供瞭一種新的手段.另外,針對在深刻蝕過程中殘留的掩膜會破壞Si檯階完整性的問題,研究瞭刻蝕過程中SiO2掩膜的去除方法對檯階的錶麵形貌造成的影響.通過實驗髮現,採用榦濕腐蝕結閤的方法可以有效地去除檯階掩膜,穫得良好的Si深檯階結構.
통과간법각식,재Si츤저상제비출고심관비적태계결구시MEMS가공적기출공예지일.다층태계적각식,시일충중요적절선단면제비방법,사실현결구경가복잡적기건성위가능.이용LPCVD생장1μm후SiO2작위둔화층,위요다층태계엄막적제비방법화이제방법전개실험,이3층태계위례,개발출일투사용일괴광각판제조임의관도적태계엄막적방법.해방법절약성본、조작간편、중복성호,위가공복잡적삼유결구제공료일충신적수단.령외,침대재심각식과정중잔류적엄막회파배Si태계완정성적문제,연구료각식과정중SiO2엄막적거제방법대태계적표면형모조성적영향.통과실험발현,채용간습부식결합적방법가이유효지거제태계엄막,획득량호적Si심태계결구.
