功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2013年
8期
1204-1207
,共4页
余宏%谢泉%肖清泉%陈茜
餘宏%謝泉%肖清泉%陳茜
여굉%사천%초청천%진천
Mg2Si薄膜%热蒸发%退火时间%择优生长
Mg2Si薄膜%熱蒸髮%退火時間%擇優生長
Mg2Si박막%열증발%퇴화시간%택우생장
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜.研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征.结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性.最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si (220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强.在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强.
採用電阻式熱蒸髮方法和退火工藝製備齣瞭Mg2Si半導體薄膜.研究瞭退火時間對Mg2Si薄膜的形成和結構的影響.首先在Si(111)襯底上沉積380nm Mg膜,然後在退火爐低真空10-1～10-2Pa氛圍400℃退火,退火時間分彆為3、4、5、6和7h.通過X射線衍射儀(XRD)、場髮射掃描電鏡(FESEM)和拉曼光譜儀對薄膜的結構、形貌和光學性質進行瞭錶徵.結果錶明,採用電阻式熱蒸髮方法成功地製備瞭半導體Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的擇優生長特性.最彊衍射峰齣現在40.12°位置,隨著退火時間的延長,Mg2Si (220)衍射峰彊度先逐漸變彊後變弱,退火4h時該峰彊度最彊.在256和690cm-1附近有兩箇Mg2Si拉曼特徵峰,退火時間為4和7h時,256cm-1附近Mg2Si拉曼特徵峰較彊.
채용전조식열증발방법화퇴화공예제비출료Mg2Si반도체박막.연구료퇴화시간대Mg2Si박막적형성화결구적영향.수선재Si(111)츤저상침적380nm Mg막,연후재퇴화로저진공10-1～10-2Pa분위400℃퇴화,퇴화시간분별위3、4、5、6화7h.통과X사선연사의(XRD)、장발사소묘전경(FESEM)화랍만광보의대박막적결구、형모화광학성질진행료표정.결과표명,채용전조식열증발방법성공지제비료반도체Mg2Si박막,Mg2Si박막구유Mg2Si(220)적택우생장특성.최강연사봉출현재40.12°위치,수착퇴화시간적연장,Mg2Si (220)연사봉강도선축점변강후변약,퇴화4h시해봉강도최강.재256화690cm-1부근유량개Mg2Si랍만특정봉,퇴화시간위4화7h시,256cm-1부근Mg2Si랍만특정봉교강.
