信息与电子工程
信息與電子工程
신식여전자공정
INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING
2012年
5期
616-620
,共5页
唐杜%刘书焕%李永宏%贺朝会
唐杜%劉書煥%李永宏%賀朝會
당두%류서환%리영굉%하조회
微剂量探测器%瞬时电流%空间电荷%TCAD模拟
微劑量探測器%瞬時電流%空間電荷%TCAD模擬
미제량탐측기%순시전류%공간전하%TCAD모의
采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI) PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析.分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化.模拟结果表明,随着反偏电压的增大,载流子复合效应降低,瞬态电流增加；当n+区域反偏电压为10V时,由α粒子入射产生的空间电荷在1 ns内几乎全部被收集,电荷收集效率接近100％；辐射产生的瞬时电流随探测器各端掺杂浓度的增大而减小.
採用數值模擬軟件TCAD對影響絕緣體上硅(SOI) PIN微劑量探測器靈敏區電荷收集特性的主要因素進行瞭模擬與分析.分析瞭3 MeVα粒子在PIN探測器內沉積能量產生的瞬時電流隨探測器偏置電壓(10 V至50 V)和摻雜濃度、粒子入射方嚮的變化.模擬結果錶明,隨著反偏電壓的增大,載流子複閤效應降低,瞬態電流增加；噹n+區域反偏電壓為10V時,由α粒子入射產生的空間電荷在1 ns內幾乎全部被收集,電荷收集效率接近100％；輻射產生的瞬時電流隨探測器各耑摻雜濃度的增大而減小.
채용수치모의연건TCAD대영향절연체상규(SOI) PIN미제량탐측기령민구전하수집특성적주요인소진행료모의여분석.분석료3 MeVα입자재PIN탐측기내침적능양산생적순시전류수탐측기편치전압(10 V지50 V)화참잡농도、입자입사방향적변화.모의결과표명,수착반편전압적증대,재류자복합효응강저,순태전류증가；당n+구역반편전압위10V시,유α입자입사산생적공간전하재1 ns내궤호전부피수집,전하수집효솔접근100％；복사산생적순시전류수탐측기각단참잡농도적증대이감소.
