压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2013年
5期
617-619,623
,共4页
李丽%郑升灵%李丰%李宏军
李麗%鄭升靈%李豐%李宏軍
리려%정승령%리봉%리굉군
薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器%一维Mason模型%AlN压电薄膜%空气腔
薄膜體聲波諧振器(FBAR)濾波器%一維Mason模型%AlN壓電薄膜%空氣腔
박막체성파해진기(FBAR)려파기%일유Mason모형%AlN압전박막%공기강
FBAR filter%one dimensional Mason model%AlN piezoelectric film%air gap
采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片.该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化.在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空气腔制作等关键工艺技术,制备的4节FBAR滤波器中心频率为2 340 MHz,3 dB带宽为25 MHz,中心插损为3.8 dB,矩形系数达2.24∶1,输入、输出阻抗均为50 Ω,芯片体积仅为1 mm×1 mm×0.3 mm,该性能与同频率、同带宽的介质滤波器性能进行了对比,体积可缩小几千倍,矩形系数优于介质滤波器.
採用完全自主的薄膜體聲波諧振器(FBAR)濾波器設計、工藝技術,製備瞭S波段FBAR濾波器芯片.該FBAR濾波器的電路結構為梯形結構,採用一維Mason模型進行瞭倣真、優化.在工藝上採用空氣隙型結構,突破瞭高c軸取嚮AlN壓電薄膜澱積、精密空氣腔製作等關鍵工藝技術,製備的4節FBAR濾波器中心頻率為2 340 MHz,3 dB帶寬為25 MHz,中心插損為3.8 dB,矩形繫數達2.24∶1,輸入、輸齣阻抗均為50 Ω,芯片體積僅為1 mm×1 mm×0.3 mm,該性能與同頻率、同帶寬的介質濾波器性能進行瞭對比,體積可縮小幾韆倍,矩形繫數優于介質濾波器.
채용완전자주적박막체성파해진기(FBAR)려파기설계、공예기술,제비료S파단FBAR려파기심편.해FBAR려파기적전로결구위제형결구,채용일유Mason모형진행료방진、우화.재공예상채용공기극형결구,돌파료고c축취향AlN압전박막정적、정밀공기강제작등관건공예기술,제비적4절FBAR려파기중심빈솔위2 340 MHz,3 dB대관위25 MHz,중심삽손위3.8 dB,구형계수체2.24∶1,수입、수출조항균위50 Ω,심편체적부위1 mm×1 mm×0.3 mm,해성능여동빈솔、동대관적개질려파기성능진행료대비,체적가축소궤천배,구형계수우우개질려파기.