微型机与应用
微型機與應用
미형궤여응용
MICROCOMPUTER & ITS APPLICATIONS
2013年
5期
15-17
,共3页
占空比%振荡器%LDO%基准电流
佔空比%振盪器%LDO%基準電流
점공비%진탕기%LDO%기준전류
基于CSMC 0.18 μm工艺,介绍了一种应用于LED驱动芯片内部的PWM振荡器电路.采用双低压线性稳压器(LDO)结构,针对传统PWM振荡器高频振荡时因内部时延造成输出占空比偏差严重的问题,通过电流双向补偿技术,在保持电路振荡频率不变的情况下,消除了内部时延对输出占空比的影响;利用高PSRR带隙基准为电路提供基准电压,抑制电源噪声.仿真结果表明,该振荡器输出频率为200 Hz～20 MHz,在固定频率下占空比可从10％～90％连续变化,电源电压抑制比为110 dB.
基于CSMC 0.18 μm工藝,介紹瞭一種應用于LED驅動芯片內部的PWM振盪器電路.採用雙低壓線性穩壓器(LDO)結構,針對傳統PWM振盪器高頻振盪時因內部時延造成輸齣佔空比偏差嚴重的問題,通過電流雙嚮補償技術,在保持電路振盪頻率不變的情況下,消除瞭內部時延對輸齣佔空比的影響;利用高PSRR帶隙基準為電路提供基準電壓,抑製電源譟聲.倣真結果錶明,該振盪器輸齣頻率為200 Hz～20 MHz,在固定頻率下佔空比可從10％～90％連續變化,電源電壓抑製比為110 dB.
기우CSMC 0.18 μm공예,개소료일충응용우LED구동심편내부적PWM진탕기전로.채용쌍저압선성은압기(LDO)결구,침대전통PWM진탕기고빈진탕시인내부시연조성수출점공비편차엄중적문제,통과전류쌍향보상기술,재보지전로진탕빈솔불변적정황하,소제료내부시연대수출점공비적영향;이용고PSRR대극기준위전로제공기준전압,억제전원조성.방진결과표명,해진탕기수출빈솔위200 Hz～20 MHz,재고정빈솔하점공비가종10％～90％련속변화,전원전압억제비위110 dB.
