人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
5期
1276-1279,1285
,共5页
闫小兵%史守山%贾长江%张二鹏%李钗%李俊颖%娄建忠%刘保亭
閆小兵%史守山%賈長江%張二鵬%李釵%李俊穎%婁建忠%劉保亭
염소병%사수산%가장강%장이붕%리차%리준영%루건충%류보정
阻变开关%STO%Ti反应电极%开关机制%脉冲激光沉积
阻變開關%STO%Ti反應電極%開關機製%脈遲激光沉積
조변개관%STO%Ti반응전겁%개관궤제%맥충격광침적
采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ (STO)/Pt结构的阻变存储器件单元.器件的有效开关次数可达200次以上.利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1 ×105 s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性.器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上.在9mA的限制电流下,器件的低阻态为500 Ω,有利于降低电路的功耗.氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOx发挥着氧离子库的作用.阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开.
採用射頻磁控濺射法製備Ti金屬薄膜作為反應電極,結閤脈遲激光沉積法在Pt/Ti/Si襯底上製備瞭Ti/非晶-SrTiO3-δ (STO)/Pt結構的阻變存儲器件單元.器件的有效開關次數可達200次以上.利用5 mV的小電壓測量處于高低阻態的器件電阻,髮現在經過3.1 ×105 s以後,兩種阻態的電阻值均沒有明顯的變化,說明器件具有較好的保持特性.器件處于高阻態和低阻態的電阻比值可達100倍以上.在9mA的限製電流下,器件的低阻態為500 Ω,有利于降低電路的功耗.氧離子和氧空位的遷移在阻變開關中起到重要的作用,界麵層TiOx髮揮著氧離子庫的作用.阻變開關機製歸因為導電細絲(Filaments)的某些部分齣現氧化或者還原現象,造成導電細絲的形成和斷開.
채용사빈자공천사법제비Ti금속박막작위반응전겁,결합맥충격광침적법재Pt/Ti/Si츤저상제비료Ti/비정-SrTiO3-δ (STO)/Pt결구적조변존저기건단원.기건적유효개관차수가체200차이상.이용5 mV적소전압측량처우고저조태적기건전조,발현재경과3.1 ×105 s이후,량충조태적전조치균몰유명현적변화,설명기건구유교호적보지특성.기건처우고조태화저조태적전조비치가체100배이상.재9mA적한제전류하,기건적저조태위500 Ω,유리우강저전로적공모.양리자화양공위적천이재조변개관중기도중요적작용,계면층TiOx발휘착양리자고적작용.조변개관궤제귀인위도전세사(Filaments)적모사부분출현양화혹자환원현상,조성도전세사적형성화단개.
