人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
5期
1205-1210
,共6页
张聪聪%戴玮%朱宁%尹振超%吴小国%曲长庆
張聰聰%戴瑋%硃寧%尹振超%吳小國%麯長慶
장총총%대위%주저%윤진초%오소국%곡장경
直流电弧等离子喷射CVD%硼掺杂金刚石(BDD)%循环伏安法%多巴胺
直流電弧等離子噴射CVD%硼摻雜金剛石(BDD)%循環伏安法%多巴胺
직류전호등리자분사CVD%붕참잡금강석(BDD)%순배복안법%다파알
采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质.测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量.霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω·cm,载流子浓度为1.1×1020 cm-3；研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性.结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势.
採用直流電弧等離子體噴射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)襯底上製備瞭(111)佔優的摻硼金剛石(BDD)薄膜,研究瞭壓彊對薄膜生長的影響,在壓彊為5500Pa時得到瞭(100)佔優的金剛石薄膜,併用SEM、XRD及拉曼光譜分析瞭薄膜的錶麵形貌、晶體結構、薄膜品質.測試結果錶明,摻硼金剛石膜具有較好的成膜質量.霍爾測試錶明BDD的電阻率為0.0095Ω·cm,載流子濃度為1.1×1020 cm-3；研究瞭BDD薄膜電極在硫痠鈉空白底液、鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀溶液和多巴胺溶液中的循環伏安麯線(CVs),髮現該金剛石薄膜電極在硫痠鈉中具有較寬的電化學窗口(約為4V)、接近零的揹景電流和良好的可逆性,利用BDD電極檢測多巴胺溶液,具有明顯的氧化還原峰值和較好的穩定性.結果錶明利用該方法製備的BDD電極在電化學檢測方麵具有明顯的優勢.
채용직류전호등리자체분사CVD(Chemical Vapor Deposition)법재규(100)츤저상제비료(111)점우적참붕금강석(BDD)박막,연구료압강대박막생장적영향,재압강위5500Pa시득도료(100)점우적금강석박막,병용SEM、XRD급랍만광보분석료박막적표면형모、정체결구、박막품질.측시결과표명,참붕금강석막구유교호적성막질량.곽이측시표명BDD적전조솔위0.0095Ω·cm,재류자농도위1.1×1020 cm-3；연구료BDD박막전겁재류산납공백저액、철청화갑/아철청화갑용액화다파알용액중적순배복안곡선(CVs),발현해금강석박막전겁재류산납중구유교관적전화학창구(약위4V)、접근령적배경전류화량호적가역성,이용BDD전겁검측다파알용액,구유명현적양화환원봉치화교호적은정성.결과표명이용해방법제비적BDD전겁재전화학검측방면구유명현적우세.
