人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
5期
1195-1199
,共5页
许岗%谷智%坚增运%惠增哲%刘翠霞%张改
許崗%穀智%堅增運%惠增哲%劉翠霞%張改
허강%곡지%견증운%혜증철%류취하%장개
碘化汞%物理气相沉积%最低生长温度
碘化汞%物理氣相沉積%最低生長溫度
전화홍%물리기상침적%최저생장온도
为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.
為確定HgI2晶體的最佳生長溫度,根據鄰位麵生長的檯階動力學,推導齣HgI2分子在(001)麵擴散激活能ESD約為0.33 eV,進而採用物理氣相沉積法的基本理論推算瞭不同升華溫度T1下HgI2晶體生長的最低溫度Tmin.結果錶明,計算結果與實際晶體生長溫度基本一緻.該結果為HgI2單晶體、多晶薄膜、單晶薄膜沉積工藝的優化提供瞭依據.
위학정HgI2정체적최가생장온도,근거린위면생장적태계동역학,추도출HgI2분자재(001)면확산격활능ESD약위0.33 eV,진이채용물리기상침적법적기본이론추산료불동승화온도T1하HgI2정체생장적최저온도Tmin.결과표명,계산결과여실제정체생장온도기본일치.해결과위HgI2단정체、다정박막、단정박막침적공예적우화제공료의거.
