人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
5期
1186-1189,1210
,共5页
快速热退火%多晶硅薄膜%结晶性能%电导率
快速熱退火%多晶硅薄膜%結晶性能%電導率
쾌속열퇴화%다정규박막%결정성능%전도솔
采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理.利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化；用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和扫描电子显微镜研究了硅薄膜的结构性能与退火温度的关系；利用电导率测试研究了硅薄膜的电学性能对退火温度的依赖性.研究发现,脱氢处理可以有效的抑制快速热退火引起的硅薄膜中微裂纹的出现.随着退火温度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的结晶性逐渐升高,在1100℃下快速热退火15 s制备的多晶硅薄膜的晶化率高达96.7％.同时,硼掺杂硅薄膜的电导率也由700℃退火的1.39×10-6 S·cm-1提高至1100℃退火的16.41 S·cm-1,增大了7个数量级.
採用快速熱退火方法對熱絲CVD沉積的非晶硅薄膜進行瞭晶化處理.利用傅裏葉紅外光譜研究瞭非晶硅薄膜脫氫處理前後Si-Hx含量的變化；用X射線衍射(XRD),拉曼(Raman)光譜和掃描電子顯微鏡研究瞭硅薄膜的結構性能與退火溫度的關繫；利用電導率測試研究瞭硅薄膜的電學性能對退火溫度的依賴性.研究髮現,脫氫處理可以有效的抑製快速熱退火引起的硅薄膜中微裂紋的齣現.隨著退火溫度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的結晶性逐漸升高,在1100℃下快速熱退火15 s製備的多晶硅薄膜的晶化率高達96.7％.同時,硼摻雜硅薄膜的電導率也由700℃退火的1.39×10-6 S·cm-1提高至1100℃退火的16.41 S·cm-1,增大瞭7箇數量級.
채용쾌속열퇴화방법대열사CVD침적적비정규박막진행료정화처리.이용부리협홍외광보연구료비정규박막탈경처리전후Si-Hx함량적변화；용X사선연사(XRD),랍만(Raman)광보화소묘전자현미경연구료규박막적결구성능여퇴화온도적관계；이용전도솔측시연구료규박막적전학성능대퇴화온도적의뢰성.연구발현,탈경처리가이유효적억제쾌속열퇴화인기적규박막중미렬문적출현.수착퇴화온도유700℃승고지1100℃,규박막적결정성축점승고,재1100℃하쾌속열퇴화15 s제비적다정규박막적정화솔고체96.7％.동시,붕참잡규박막적전도솔야유700℃퇴화적1.39×10-6 S·cm-1제고지1100℃퇴화적16.41 S·cm-1,증대료7개수량급.
