CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进
CdSiP2다정잡상분석여합성공예개진
Analysis on Impurity Phase and Synthesis Process Improvement of Polycrystalline CdSiP2
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2012年 5期 1163-1167 ,共5页

    王小元%朱世富%赵北君%陈宝军%何知宇%樊龙%杨辉%刘光耀

    왕소원%주세부%조북군%진보군%하지우%번룡%양휘%류광요

    CdSiP2%多晶合成%红外透过率 CdSiP2%多晶閤成%紅外透過率
    CdSiP2%다정합성%홍외투과솔
    以高纯(6N) Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶.X射线衍射(XRD)分析及Rietveld全谱拟合精修结果表明合成产物中含有微量SiP和CdP2杂相,分析了杂相产生的原因.针对存在的问题改进合成工艺,引入高温熔体机械和温度振荡以及分步控温冷却等新工艺,获得了外观完整、内部致密均匀的CdSiP2多晶.XRD及能量色散谱仪(EDS)分析结果表明,合成产物为高纯单相CdSiP2多晶,为高质量单晶体的生长奠定了可靠基础.以改进工艺获得的CdSiP2多晶为原料生长出质量较好的单晶体,厚度为2mm的晶片样品在1500 ～ 7000 cm-1范围内的红外透过率在45％以上,计算出晶体的禁带宽度为2.09 eV.
    이고순(6N) Cd、Si、P단질위원료,안CdSiP2화학계량비병괄당부린배료,채용전통기상수운법합성출CdSiP2다정.X사선연사(XRD)분석급Rietveld전보의합정수결과표명합성산물중함유미량SiP화CdP2잡상,분석료잡상산생적원인.침대존재적문제개진합성공예,인입고온용체궤계화온도진탕이급분보공온냉각등신공예,획득료외관완정、내부치밀균균적CdSiP2다정.XRD급능량색산보의(EDS)분석결과표명,합성산물위고순단상CdSiP2다정,위고질량단정체적생장전정료가고기출.이개진공예획득적CdSiP2다정위원료생장출질량교호적단정체,후도위2mm적정편양품재1500 ～ 7000 cm-1범위내적홍외투과솔재45％이상,계산출정체적금대관도위2.09 eV.
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