红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2012年
5期
416-420,454
,共6页
潘红星%王茺%杨杰%张学贵%靳映霞%杨宇
潘紅星%王茺%楊傑%張學貴%靳映霞%楊宇
반홍성%왕충%양걸%장학귀%근영하%양우
硅缓冲层%锗量子点%离子束溅射
硅緩遲層%鍺量子點%離子束濺射
규완충층%타양자점%리자속천사
采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大,量子点密度先增大后减小,停顿生长有利于提高缓冲层结晶性,从而提高量子点的密度,可以达到1.9×1010 cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用,并提出了量子点的生长模型.
採用離子束濺射技術,在生長瞭Si緩遲層的硅晶片上製備瞭一繫列Ge量子點樣品.藉助原子力顯微鏡(AFM)和Raman光譜等測試手段研究瞭Ge/Si量子點生長密度、呎吋及排列均勻性的縯變規律.結果錶明,改變Si緩遲層厚度及其生長方式,可以有效控製量子點的呎吋、均勻性和密度.隨緩遲層厚度增大,量子點密度先增大後減小,停頓生長有利于提高緩遲層結晶性,從而提高量子點的密度,可以達到1.9×1010 cm-2.還研究瞭Si緩遲層在Ge量子點生長過程中的作用,併提齣瞭量子點的生長模型.
채용리자속천사기술,재생장료Si완충층적규정편상제비료일계렬Ge양자점양품.차조원자력현미경(AFM)화Raman광보등측시수단연구료Ge/Si양자점생장밀도、척촌급배렬균균성적연변규률.결과표명,개변Si완충층후도급기생장방식,가이유효공제양자점적척촌、균균성화밀도.수완충층후도증대,양자점밀도선증대후감소,정돈생장유리우제고완충층결정성,종이제고양자점적밀도,가이체도1.9×1010 cm-2.환연구료Si완충층재Ge양자점생장과정중적작용,병제출료양자점적생장모형.
