红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2012年
5期
411-415,461
,共6页
徐海涛%徐闰%王林军%朱燕艳
徐海濤%徐閏%王林軍%硃燕豔
서해도%서윤%왕림군%주연염
Cd1-xZnxTe合金%HSE杂化势%形成焓%光学带隙%第一性原理
Cd1-xZnxTe閤金%HSE雜化勢%形成焓%光學帶隙%第一性原理
Cd1-xZnxTe합금%HSE잡화세%형성함%광학대극%제일성원리
采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质,并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时,采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV,这与已报道实验结果0.254 eV非常吻合.同时,计算得出的形成焓较高,特别是在Cd0.5 Zn0.5 Te合金组分时(25.60 meV/atom).对合金中键长的分析后得出Cd-Te键和Zn-Te键的局域键长与CdTe和ZnTe体材料的值非常接近,但二者之间相差较大,从而导致合金材料中各个原子存在较大的弛豫,这也是该合金具有较大形成焓的主要原因.
採用HSE雜化勢計算瞭Cd1-xZnxTe閤金的性質,併穫得瞭較傳統GGA更為準確的光學帶隙和形成焓.在構建超胞計算閤金體繫時,採用SQS模型.計算分析得齣Cd1-xZnxTe閤金的光學帶隙下凹參數為0.266 eV,這與已報道實驗結果0.254 eV非常吻閤.同時,計算得齣的形成焓較高,特彆是在Cd0.5 Zn0.5 Te閤金組分時(25.60 meV/atom).對閤金中鍵長的分析後得齣Cd-Te鍵和Zn-Te鍵的跼域鍵長與CdTe和ZnTe體材料的值非常接近,但二者之間相差較大,從而導緻閤金材料中各箇原子存在較大的弛豫,這也是該閤金具有較大形成焓的主要原因.
채용HSE잡화세계산료Cd1-xZnxTe합금적성질,병획득료교전통GGA경위준학적광학대극화형성함.재구건초포계산합금체계시,채용SQS모형.계산분석득출Cd1-xZnxTe합금적광학대극하요삼수위0.266 eV,저여이보도실험결과0.254 eV비상문합.동시,계산득출적형성함교고,특별시재Cd0.5 Zn0.5 Te합금조분시(25.60 meV/atom).대합금중건장적분석후득출Cd-Te건화Zn-Te건적국역건장여CdTe화ZnTe체재료적치비상접근,단이자지간상차교대,종이도치합금재료중각개원자존재교대적이예,저야시해합금구유교대형성함적주요원인.
