红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2012年
5期
403-406
,共4页
李海滨%林春%陈兴国%魏彦峰%徐竟杰%何力
李海濱%林春%陳興國%魏彥峰%徐竟傑%何力
리해빈%림춘%진흥국%위언봉%서경걸%하력
As掺HgCdT%长波HgCdTe红外光电二极管阵列%伏安特性%表面处理工艺
As摻HgCdT%長波HgCdTe紅外光電二極管陣列%伏安特性%錶麵處理工藝
As참HgCdT%장파HgCdTe홍외광전이겁관진렬%복안특성%표면처리공예
采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5 μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3 μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.
採用砷(As)摻雜HgCdTe材料研製瞭響應截止波長為12.5 μm,規格為256×1的長波紅外光電二極管陣列.實驗設計瞭一種新的pn結測量方法,測量髮現砷摻長波HgCdTe材料離子註入形成pn結深度在3.6～5.3 μm之間,而其最大橫嚮呎吋大約是設計呎吋的1.3倍.實驗採用一種改進的錶麵處理工藝製備瞭砷摻HgCdTe長波紅外光電二極管陣列,穫得瞭良好的電學性能,該工藝與常規錶麵處理工藝相比可以使器件峰值阻抗提高2箇量級,而-0.5v偏壓下的動態電阻可提高約30倍.研究認為,器件性能提高的原因是由于改進工藝可以有效抑製器件錶麵漏電流.
채용신(As)참잡HgCdTe재료연제료향응절지파장위12.5 μm,규격위256×1적장파홍외광전이겁관진렬.실험설계료일충신적pn결측량방법,측량발현신참장파HgCdTe재료리자주입형성pn결심도재3.6～5.3 μm지간,이기최대횡향척촌대약시설계척촌적1.3배.실험채용일충개진적표면처리공예제비료신참HgCdTe장파홍외광전이겁관진렬,획득료량호적전학성능,해공예여상규표면처리공예상비가이사기건봉치조항제고2개량급,이-0.5v편압하적동태전조가제고약30배.연구인위,기건성능제고적원인시유우개진공예가이유효억제기건표면루전류.
