红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2012年
5期
385-388,398
,共5页
王凯%顾溢%方祥%周立%李成%李好斯白音%张永刚
王凱%顧溢%方祥%週立%李成%李好斯白音%張永剛
왕개%고일%방상%주립%리성%리호사백음%장영강
化合物半导体%分子束外延%InAlGaAs%X射线衍射%光致发光
化閤物半導體%分子束外延%InAlGaAs%X射線衍射%光緻髮光
화합물반도체%분자속외연%InAlGaAs%X사선연사%광치발광
compound semiconductor%molecular beam epitaxy%InAlGaAs%X-ray diffraction%photoluminescence
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系InAlGaAs材料性质进行了表征.摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加,样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的三族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得,测试结果与设计值吻合,Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法.
採用高分辨率X射線衍射搖襬麯線、光緻髮光以及霍爾測試對採用氣態源分子束外延方法生長的四元繫InAlGaAs材料性質進行瞭錶徵.搖襬麯線結果錶明,根據計算數據所生長的InAlGaAs樣品與InP襯底基本匹配.光緻髮光和霍爾測試結果顯示隨著Al組分的增加,樣品的光緻髮光彊度、電子濃度和遷移率均有所下降.樣品的三族元素組分由光緻髮光及X射線衍射實驗穫得,測試結果與設計值吻閤,Al組分的實驗設計值與測試結果的關繫提供瞭一種實用的精確控製組分的方法.
채용고분변솔X사선연사요파곡선、광치발광이급곽이측시대채용기태원분자속외연방법생장적사원계InAlGaAs재료성질진행료표정.요파곡선결과표명,근거계산수거소생장적InAlGaAs양품여InP츤저기본필배.광치발광화곽이측시결과현시수착Al조분적증가,양품적광치발광강도、전자농도화천이솔균유소하강.양품적삼족원소조분유광치발광급X사선연사실험획득,측시결과여설계치문합,Al조분적실험설계치여측시결과적관계제공료일충실용적정학공제조분적방법.
