粉末冶金材料科学与工程
粉末冶金材料科學與工程
분말야금재료과학여공정
POWDER METALLURGY MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2012年
5期
664-668
,共5页
谭周建%李军%张翔%李丙菊%褚胜林%廖寄乔
譚週建%李軍%張翔%李丙菊%褚勝林%廖寄喬
담주건%리군%장상%리병국%저성림%료기교
碳化硅晶须%C/C复合材料%SiC涂层%力学性能
碳化硅晶鬚%C/C複閤材料%SiC塗層%力學性能
탄화규정수%C/C복합재료%SiC도층%역학성능
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响.结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变；同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低.
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)為先驅體原料,採用化學氣相沉積法(CVD)在C/C複閤材料錶麵原位生長碳化硅晶鬚(SiCw)及製備SiC塗層,研究SiCw對SiC塗層微觀形貌,織構及力學性能的影響.結果錶明:SiCw不僅可促成SiC等軸顆粒的細化、生長完善,裂紋寬度減小、偏轉明顯,而且可使塗層的織構髮生改變；同時,大量的空洞在SiCw處形成,使得內層SiC塗層硬度低于外層,從而導緻整箇SiC塗層的硬度和彈性模量降低.
이삼록갑기규완(CH3SiCl3,MTS)위선구체원료,채용화학기상침적법(CVD)재C/C복합재료표면원위생장탄화규정수(SiCw)급제비SiC도층,연구SiCw대SiC도층미관형모,직구급역학성능적영향.결과표명:SiCw불부가촉성SiC등축과립적세화、생장완선,렬문관도감소、편전명현,이차가사도층적직구발생개변；동시,대량적공동재SiCw처형성,사득내층SiC도층경도저우외층,종이도치정개SiC도층적경도화탄성모량강저.
