电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
ELECTROPLATING & FINISHING
2012年
12期
28-32
,共5页
李超%孙江燕%韩赢%曹海勇%孙红旗%李明
李超%孫江燕%韓贏%曹海勇%孫紅旂%李明
리초%손강연%한영%조해용%손홍기%리명
铜微凸点%电镀%整平剂%电子封装%表面形貌
銅微凸點%電鍍%整平劑%電子封裝%錶麵形貌
동미철점%전도%정평제%전자봉장%표면형모
研究了宏观整平剂、微观整平剂及电流密度对铜微凸点表面平整性的影响,探讨了2种整平剂和电流密度对铜微凸点表面的作用机制.镀液组成和工艺参数为:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平剂H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.结果表明,宏观整平剂可促进铜的沉积,微观整平剂则可抑制铜的沉积,二者相互配合可改变电镀过程中镀孔的电力线分布,使电流密度分布均匀.在一定范围内提高电流密度可加快铜微凸点的生长.在6 A/dm2下,2种整平剂的质量浓度均为5 mg/L时,可制得结晶细腻、表面平整的铜微凸点.
研究瞭宏觀整平劑、微觀整平劑及電流密度對銅微凸點錶麵平整性的影響,探討瞭2種整平劑和電流密度對銅微凸點錶麵的作用機製.鍍液組成和工藝參數為:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平劑H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.結果錶明,宏觀整平劑可促進銅的沉積,微觀整平劑則可抑製銅的沉積,二者相互配閤可改變電鍍過程中鍍孔的電力線分佈,使電流密度分佈均勻.在一定範圍內提高電流密度可加快銅微凸點的生長.在6 A/dm2下,2種整平劑的質量濃度均為5 mg/L時,可製得結晶細膩、錶麵平整的銅微凸點.
연구료굉관정평제、미관정평제급전류밀도대동미철점표면평정성적영향,탐토료2충정평제화전류밀도대동미철점표면적작용궤제.도액조성화공예삼수위:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,정평제H화W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.결과표명,굉관정평제가촉진동적침적,미관정평제칙가억제동적침적,이자상호배합가개변전도과정중도공적전력선분포,사전류밀도분포균균.재일정범위내제고전류밀도가가쾌동미철점적생장.재6 A/dm2하,2충정평제적질량농도균위5 mg/L시,가제득결정세니、표면평정적동미철점.
