核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2013年
2期
221-226
,共6页
蒙特卡罗方法%宽带隙半导体%电子数密度%背散射系数%射程
矇特卡囉方法%寬帶隙半導體%電子數密度%揹散射繫數%射程
몽특잡라방법%관대극반도체%전자수밀도%배산사계수%사정
利用蒙特卡罗方法研究了GaN、SiC等几种宽带隙半导体材料在β源辐照下的行为.结果表明表层中沉积的β粒子数密度随材料密度的增加而增加,其最大电子数密度与物质密度间存在近似的线性关系；电子数密度随粒子入射深度成指数衰减,随横向迁移距离的增加而迅速衰减,其横向最大迁移距离在6 mm左右.相对高能电子而言,低能电子更容易发生电离作用,且电子的沉积能随入射深度逐渐减少.对于0.1 ～500 keV的入射电子,GaN、SiC等半导体材料的背散射系数大约在0.04～0.38之间,其大小与材料及入射电子能量有关.β粒子在GaN、SiC等材料中的射程都比较短,对于0.5 MeV的β粒子其最大射程不超过1 mm.
利用矇特卡囉方法研究瞭GaN、SiC等幾種寬帶隙半導體材料在β源輻照下的行為.結果錶明錶層中沉積的β粒子數密度隨材料密度的增加而增加,其最大電子數密度與物質密度間存在近似的線性關繫；電子數密度隨粒子入射深度成指數衰減,隨橫嚮遷移距離的增加而迅速衰減,其橫嚮最大遷移距離在6 mm左右.相對高能電子而言,低能電子更容易髮生電離作用,且電子的沉積能隨入射深度逐漸減少.對于0.1 ～500 keV的入射電子,GaN、SiC等半導體材料的揹散射繫數大約在0.04～0.38之間,其大小與材料及入射電子能量有關.β粒子在GaN、SiC等材料中的射程都比較短,對于0.5 MeV的β粒子其最大射程不超過1 mm.
이용몽특잡라방법연구료GaN、SiC등궤충관대극반도체재료재β원복조하적행위.결과표명표층중침적적β입자수밀도수재료밀도적증가이증가,기최대전자수밀도여물질밀도간존재근사적선성관계；전자수밀도수입자입사심도성지수쇠감,수횡향천이거리적증가이신속쇠감,기횡향최대천이거리재6 mm좌우.상대고능전자이언,저능전자경용역발생전리작용,차전자적침적능수입사심도축점감소.대우0.1 ～500 keV적입사전자,GaN、SiC등반도체재료적배산사계수대약재0.04～0.38지간,기대소여재료급입사전자능량유관.β입자재GaN、SiC등재료중적사정도비교단,대우0.5 MeV적β입자기최대사정불초과1 mm.
