大连交通大学学报
大連交通大學學報
대련교통대학학보
JOURNAL OF DALIAN JIAOTONG UNIVERSITY
2013年
3期
74-78
,共5页
稀磁半导体(DMS)%电子结构%掺杂
稀磁半導體(DMS)%電子結構%摻雜
희자반도체(DMS)%전자결구%참잡
通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和A1、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和A1与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,A1有稳定结构和影响结构磁性的作用.
通過第一性原理計算研究3d過渡金屬元素(TM)摻雜六方結構碳化硅(4H-SiC)晶體和A1、TM共摻雜4H-SiC晶體的總能和磁學性質.摻雜4H-SiC結構的穩定性取決于TM和Si原子的化學勢.結果髮現在TM摻雜4H-SiC體繫中,摻雜Ti的結構是最穩定的,而Al、TM共摻4H-SiC中摻雜V的結構是最穩定的.對比TM元素單摻雜和A1與TM元素共摻雜體繫的磁性質可知,A1有穩定結構和影響結構磁性的作用.
통과제일성원리계산연구3d과도금속원소(TM)참잡륙방결구탄화규(4H-SiC)정체화A1、TM공참잡4H-SiC정체적총능화자학성질.참잡4H-SiC결구적은정성취결우TM화Si원자적화학세.결과발현재TM참잡4H-SiC체계중,참잡Ti적결구시최은정적,이Al、TM공참4H-SiC중참잡V적결구시최은정적.대비TM원소단참잡화A1여TM원소공참잡체계적자성질가지,A1유은정결구화영향결구자성적작용.
