河北师范大学学报（自然科学版）
河北師範大學學報（自然科學版）
하북사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2013年
2期
149-152
,共4页
分子束外延%单晶Tm2O3%F-N隧穿特性%高K栅介质材料
分子束外延%單晶Tm2O3%F-N隧穿特性%高K柵介質材料
분자속외연%단정Tm2O3%F-N수천특성%고K책개질재료
采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si(001)衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制各样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的势垒高度分别为2.95,1.8 eV.从能带的角度表明Tm2O3是一种高K栅介质候选材料.
採用分子束外延方法結閤原位退火生長技術在Si(001)襯底上製備瞭Tm2O3薄膜,XRD測量結果錶明所製各樣品為單晶Tm2O3.在低溫環境下,採用MOS電容結構對薄膜進行I-V測試,研究瞭樣品的F-N隧穿特性,得齣Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的勢壘高度分彆為2.95,1.8 eV.從能帶的角度錶明Tm2O3是一種高K柵介質候選材料.
채용분자속외연방법결합원위퇴화생장기술재Si(001)츤저상제비료Tm2O3박막,XRD측량결과표명소제각양품위단정Tm2O3.재저온배경하,채용MOS전용결구대박막진행I-V측시,연구료양품적F-N수천특성,득출Pt/Tm2O3화Al/Tm2O3적세루고도분별위2.95,1.8 eV.종능대적각도표명Tm2O3시일충고K책개질후선재료.
