电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2013年
3期
37-39
,共3页
电流基准%温度系数%电源抑制比
電流基準%溫度繫數%電源抑製比
전류기준%온도계수%전원억제비
设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源,并分析了该电路的工作原理.该基准电流源不需要使用电阻,大大节省了芯片的面积.基于TSMC 0.18 μmCMOS厚栅工艺,使用Spectre对电路进行了仿真.仿真结果表明,在输出基准电流为46 nA的情况下,该电路的温度系数为24.33 ppm/℃,输出电流变化率仅为0.028 9％/V,电源抑制比(PSRR)最高可达-85 dB,电路消耗的电流小于200 nA.
設計瞭一種新型的、不隨電源電壓變化的、溫度繫數很小的nA量級CMOS基準電流源,併分析瞭該電路的工作原理.該基準電流源不需要使用電阻,大大節省瞭芯片的麵積.基于TSMC 0.18 μmCMOS厚柵工藝,使用Spectre對電路進行瞭倣真.倣真結果錶明,在輸齣基準電流為46 nA的情況下,該電路的溫度繫數為24.33 ppm/℃,輸齣電流變化率僅為0.028 9％/V,電源抑製比(PSRR)最高可達-85 dB,電路消耗的電流小于200 nA.
설계료일충신형적、불수전원전압변화적、온도계수흔소적nA량급CMOS기준전류원,병분석료해전로적공작원리.해기준전류원불수요사용전조,대대절성료심편적면적.기우TSMC 0.18 μmCMOS후책공예,사용Spectre대전로진행료방진.방진결과표명,재수출기준전류위46 nA적정황하,해전로적온도계수위24.33 ppm/℃,수출전류변화솔부위0.028 9％/V,전원억제비(PSRR)최고가체-85 dB,전로소모적전류소우200 nA.
