微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
6期
762-764,769
,共4页
张怡云%陈后鹏%龚亮%王倩%蔡道林%陈一峰%宋志棠
張怡雲%陳後鵬%龔亮%王倩%蔡道林%陳一峰%宋誌棠
장이운%진후붕%공량%왕천%채도림%진일봉%송지당
相变存储器%灵敏放大器%预充电
相變存儲器%靈敏放大器%預充電
상변존저기%령민방대기%예충전
设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点.基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8 Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片.测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果.
設計瞭一種用于相變存儲器(PCRAM)的全對稱差分靈敏放大器電路,該電路採用預充電技術、限幅電路和防抖動電阻,具有抗榦擾能力彊、靈活性好、繫統性失配小等優點.基于0.13μm CMOS工藝,設計瞭一箇8 Mb的PCRAM測試芯片,併進行瞭流片.測試結果錶明,設計的電路在讀週期為2μs時能達到很好的讀齣效果.
설계료일충용우상변존저기(PCRAM)적전대칭차분령민방대기전로,해전로채용예충전기술、한폭전로화방두동전조,구유항간우능력강、령활성호、계통성실배소등우점.기우0.13μm CMOS공예,설계료일개8 Mb적PCRAM측시심편,병진행료류편.측시결과표명,설계적전로재독주기위2μs시능체도흔호적독출효과.
