微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
6期
753-757
,共5页
杨务诚%杨洪文%曾云%阎跃鹏%孙征宇%张韧%刘宇辙
楊務誠%楊洪文%曾雲%閻躍鵬%孫徵宇%張韌%劉宇轍
양무성%양홍문%증운%염약붕%손정우%장인%류우철
T/R组件%接收支路%发射支路
T/R組件%接收支路%髮射支路
T/R조건%접수지로%발사지로
阐述了面向IMT-Advanced应用的射频前端T/R组件中各模块的设计与实现方法,并对接收支路和发射支路进行了设计.宽带开关工作频率范围为0～6 GHz,具有插入损耗低、隔离度高的优点；超宽带低噪声放大器在700 MHz～6 GHz的工作范围内增益高且平坦,噪声系数小；宽带功率放大器采用自适应线性化偏置电路,在5.8 GHz频段具有优良的线性度.整个T/R组件输入电压为5V,接收支路增益为13.75 dB,噪声系数为6.58 dB,发射支路增益为22.77 dB,输出功率为20.2 dBm.
闡述瞭麵嚮IMT-Advanced應用的射頻前耑T/R組件中各模塊的設計與實現方法,併對接收支路和髮射支路進行瞭設計.寬帶開關工作頻率範圍為0～6 GHz,具有插入損耗低、隔離度高的優點；超寬帶低譟聲放大器在700 MHz～6 GHz的工作範圍內增益高且平坦,譟聲繫數小；寬帶功率放大器採用自適應線性化偏置電路,在5.8 GHz頻段具有優良的線性度.整箇T/R組件輸入電壓為5V,接收支路增益為13.75 dB,譟聲繫數為6.58 dB,髮射支路增益為22.77 dB,輸齣功率為20.2 dBm.
천술료면향IMT-Advanced응용적사빈전단T/R조건중각모괴적설계여실현방법,병대접수지로화발사지로진행료설계.관대개관공작빈솔범위위0～6 GHz,구유삽입손모저、격리도고적우점；초관대저조성방대기재700 MHz～6 GHz적공작범위내증익고차평탄,조성계수소；관대공솔방대기채용자괄응선성화편치전로,재5.8 GHz빈단구유우량적선성도.정개T/R조건수입전압위5V,접수지로증익위13.75 dB,조성계수위6.58 dB,발사지로증익위22.77 dB,수출공솔위20.2 dBm.
