强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2013年
2期
513-516
,共4页
碳钛颗粒膜%表面传导电子发射%薄膜厚度%电子发射率
碳鈦顆粒膜%錶麵傳導電子髮射%薄膜厚度%電子髮射率
탄태과립막%표면전도전자발사%박막후도%전자발사솔
制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响.将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69 nm的器件开启电压为32 V,在33 V时具有最大发射效率；颗粒膜厚度为855 nm的器件开启电压为15V,在23 V时发射效率最高；颗粒膜厚度为69 nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855 nm的器件.
製備瞭不同厚度下的C-Ti顆粒膜用作錶麵傳導電子髮射的陰極髮射薄膜,研究瞭不同顆粒膜厚度對電子髮射特性的影響.將所製備陰極器件加載不同電壓幅值下的等幅三角波,對器件進行電形成,結果錶明:顆粒膜厚度為69 nm的器件開啟電壓為32 V,在33 V時具有最大髮射效率；顆粒膜厚度為855 nm的器件開啟電壓為15V,在23 V時髮射效率最高；顆粒膜厚度為69 nm的器件所形成的電壓範圍和電子髮射效率都明顯高于顆粒膜厚度為855 nm的器件.
제비료불동후도하적C-Ti과립막용작표면전도전자발사적음겁발사박막,연구료불동과립막후도대전자발사특성적영향.장소제비음겁기건가재불동전압폭치하적등폭삼각파,대기건진행전형성,결과표명:과립막후도위69 nm적기건개계전압위32 V,재33 V시구유최대발사효솔；과립막후도위855 nm적기건개계전압위15V,재23 V시발사효솔최고；과립막후도위69 nm적기건소형성적전압범위화전자발사효솔도명현고우과립막후도위855 nm적기건.
