2.0μm波段Sb基多量子阱材料的制备
2.0μm파단Sb기다양자정재료적제비
Fabrication of 2.0 μm Sb-based multi-quantum-well materials
  • 万方数据
    强激光与粒子束 강격광여입자속
    HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
    2013年 2期 505-507 ,共3页

    李占国%尤明慧%邓昀%刘国军%李林%高欣%曲轶%王晓华

    리점국%우명혜%산윤%류국군%리림%고흔%곡질%왕효화

    多量子阱%分子束外延%中红外波段 多量子阱%分子束外延%中紅外波段
    다양자정%분자속외연%중홍외파단
    采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料.室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0μm左右.该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性.所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300 mA.
    채용분자속외연외연생장기술,우화InGaAsSb/AlGaAsSb다양자정점재료적생장속솔、생장온도화속류비등생장삼수,획득료고질량적다양자정재료.실온광형광보표명,재료적발광파장위2.0μm좌우.해결과표명,통과우화생장조건화결구삼수제비적양자정재료,가이획득량호적결구질량화광학특성.소제비적기건실온조건하수출공솔22 mW,역치전류300 mA.
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