电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2012年
15期
117-120
,共4页
宁方潇%张健%陈晓哲%杨浩%张海英
寧方瀟%張健%陳曉哲%楊浩%張海英
저방소%장건%진효철%양호%장해영
RFID%低噪声放大器%噪声消除%共源共栅%高线性度
RFID%低譟聲放大器%譟聲消除%共源共柵%高線性度
RFID%저조성방대기%조성소제%공원공책%고선성도
RFID%LNA%noise canceling%cascode%high linearity
设计了一款用于UHFRFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除和非线性失真抵消，具有高的线性度。该电路采用TSMCO．18μm工艺设计，芯片面积只有0．02mm2。电源电压为1．8V，总电流为8mA，后仿真结果增益为19．2dB，噪声因子为2．5dB，输入1dB压缩点为-5．2dBm。
設計瞭一款用于UHFRFID射頻前耑接收機的高線性度LNA。該低譟聲放大器採用譟聲消除技術，具有單耑輸入差分輸齣的功能，能夠同時實現輸齣平衡，譟聲消除和非線性失真牴消，具有高的線性度。該電路採用TSMCO．18μm工藝設計，芯片麵積隻有0．02mm2。電源電壓為1．8V，總電流為8mA，後倣真結果增益為19．2dB，譟聲因子為2．5dB，輸入1dB壓縮點為-5．2dBm。
설계료일관용우UHFRFID사빈전단접수궤적고선성도LNA。해저조성방대기채용조성소제기술，구유단단수입차분수출적공능，능구동시실현수출평형，조성소제화비선성실진저소，구유고적선성도。해전로채용TSMCO．18μm공예설계，심편면적지유0．02mm2。전원전압위1．8V，총전류위8mA，후방진결과증익위19．2dB，조성인자위2．5dB，수입1dB압축점위-5．2dBm。
A high linearity LNA for UHF RFID Reader is proposed. It exploits thermal noise canceling technology, which allows for simultaneous output balancing, noise canceling and distortion canceling. It achieves high linearity. Fabricated in a TSMC 0.18μm CMOS process and occupied an area of 0.02 mm2. It is operated at 1.SV supply with a total current of 8mA, the LNA delivers 19.2 dB gain with 2.5 dB noise figure （NF） and P1--dB of -5.2dBm.
