中国科技论文
中國科技論文
중국과기논문
Sciencepaper Online
2013年
3期
270-274
,共5页
物理化学%多吡啶钌(Ⅱ)配合物%DNA%电化学组装%电催化氧化
物理化學%多吡啶釕(Ⅱ)配閤物%DNA%電化學組裝%電催化氧化
물이화학%다필정조(Ⅱ)배합물%DNA%전화학조장%전최화양화
应用循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了[Ru(bpy)2 (tatp)]2+(bpy=2,2 '-联吡啶,tatp=1,4,8,9-四氮三联苯)介导d(AG)10和d(AC)10在铟锡氧化物(ITO)电极上的组装与氧化.结果表明,应用连续微分脉冲伏安法能有效地实现[Ru(bpy)2(tatp)]2+介导的d(AG)10和d(AC)10在ITO电极上的组装,并且d(AG)10的组装效果优于d(AC)10.ITO电极上的组装层在约0.64 V出现1对由表面电化学控制的氧化还原峰,峰电流随着伏安扫描次数的增大两增大.同时,[Ru(bpy)2(tatp)]2+能介导d(AG)10在ITO电极上的氧化,但对d(AC)10介导氧化效果不明显.此外,结合荧光显微镜和荧光光谱探讨了d(AG)10和d(AC)10在ITO电极上电化学组装和电催化氧化的机理.
應用循環伏安法和微分脈遲伏安法研究瞭[Ru(bpy)2 (tatp)]2+(bpy=2,2 '-聯吡啶,tatp=1,4,8,9-四氮三聯苯)介導d(AG)10和d(AC)10在銦錫氧化物(ITO)電極上的組裝與氧化.結果錶明,應用連續微分脈遲伏安法能有效地實現[Ru(bpy)2(tatp)]2+介導的d(AG)10和d(AC)10在ITO電極上的組裝,併且d(AG)10的組裝效果優于d(AC)10.ITO電極上的組裝層在約0.64 V齣現1對由錶麵電化學控製的氧化還原峰,峰電流隨著伏安掃描次數的增大兩增大.同時,[Ru(bpy)2(tatp)]2+能介導d(AG)10在ITO電極上的氧化,但對d(AC)10介導氧化效果不明顯.此外,結閤熒光顯微鏡和熒光光譜探討瞭d(AG)10和d(AC)10在ITO電極上電化學組裝和電催化氧化的機理.
응용순배복안법화미분맥충복안법연구료[Ru(bpy)2 (tatp)]2+(bpy=2,2 '-련필정,tatp=1,4,8,9-사담삼련분)개도d(AG)10화d(AC)10재인석양화물(ITO)전겁상적조장여양화.결과표명,응용련속미분맥충복안법능유효지실현[Ru(bpy)2(tatp)]2+개도적d(AG)10화d(AC)10재ITO전겁상적조장,병차d(AG)10적조장효과우우d(AC)10.ITO전겁상적조장층재약0.64 V출현1대유표면전화학공제적양화환원봉,봉전류수착복안소묘차수적증대량증대.동시,[Ru(bpy)2(tatp)]2+능개도d(AG)10재ITO전겁상적양화,단대d(AC)10개도양화효과불명현.차외,결합형광현미경화형광광보탐토료d(AG)10화d(AC)10재ITO전겁상전화학조장화전최화양화적궤리.
