绝缘材料
絕緣材料
절연재료
INSULATING MATERIALS
2010年
4期
40-44
,共5页
梁先文%于淑会%孙蓉%罗遂斌%庄志强
樑先文%于淑會%孫蓉%囉遂斌%莊誌彊
량선문%우숙회%손용%라수빈%장지강
正硅酸乙酯%聚偏二氟乙烯%复合材料%嵌入式电容%纳米银
正硅痠乙酯%聚偏二氟乙烯%複閤材料%嵌入式電容%納米銀
정규산을지%취편이불을희%복합재료%감입식전용%납미은
利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料.研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响.结果表明:正硅酸乙酯水解在Ag颗粒之间生成的SiO2缘层避免了Ag颗粒之间的直接接触,形成了内部电子阻隔层,使复合材料的渗流阈值增大,介质损耗保持较低的值(小于0.08,1kHz,体积分数28%),电导率为2.85×10-5S/m(1 kHz,体积分数28%).由于SiO2绝缘层具有一定的厚度(计算值为10 nm),载流子在金属Ag颗粒间及颗粒与基体间跃迁相对较难,导致了该复合材料具有较低的介电常数值(ε=38.5,1 kHz,体积分数28%).
利用濕化學還原法製備瞭銀(Ag)顆粒,併用正硅痠乙酯對其進行處理,通過混閤和熱壓工藝製備瞭正硅痠乙酯改性的銀填充聚偏二氟乙烯介電複閤材料.研究瞭正硅痠乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)絕緣層對該複閤材料介電性能的影響.結果錶明:正硅痠乙酯水解在Ag顆粒之間生成的SiO2緣層避免瞭Ag顆粒之間的直接接觸,形成瞭內部電子阻隔層,使複閤材料的滲流閾值增大,介質損耗保持較低的值(小于0.08,1kHz,體積分數28%),電導率為2.85×10-5S/m(1 kHz,體積分數28%).由于SiO2絕緣層具有一定的厚度(計算值為10 nm),載流子在金屬Ag顆粒間及顆粒與基體間躍遷相對較難,導緻瞭該複閤材料具有較低的介電常數值(ε=38.5,1 kHz,體積分數28%).
이용습화학환원법제비료은(Ag)과립,병용정규산을지대기진행처리,통과혼합화열압공예제비료정규산을지개성적은전충취편이불을희개전복합재료.연구료정규산을지수해득도이양화규(SiO2)절연층대해복합재료개전성능적영향.결과표명:정규산을지수해재Ag과립지간생성적SiO2연층피면료Ag과립지간적직접접촉,형성료내부전자조격층,사복합재료적삼류역치증대,개질손모보지교저적치(소우0.08,1kHz,체적분수28%),전도솔위2.85×10-5S/m(1 kHz,체적분수28%).유우SiO2절연층구유일정적후도(계산치위10 nm),재류자재금속Ag과립간급과립여기체간약천상대교난,도치료해복합재료구유교저적개전상수치(ε=38.5,1 kHz,체적분수28%).
