电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2013年
12期
13-15
,共3页
于朝辉%刘斯扬%张春伟%孙伟锋
于朝輝%劉斯颺%張春偉%孫偉鋒
우조휘%류사양%장춘위%손위봉
晶体管%沟道长度%漂移区长度%饱和电流
晶體管%溝道長度%漂移區長度%飽和電流
정체관%구도장도%표이구장도%포화전류
transistor%channel region length%drift region length%saturation current
依据退化实验结果,并结合半导体器件工艺模拟软件TCAD仿真,详细研究了高压绝缘体上硅(SOI)p型横向双扩散MOSFET (pLDMOS)饱和电流的热载流子退化机理,以及不同沟道长度和漂移区长度对器件热载流子退化的影响.研究结果表明,在应力初始阶段,热电子注入机制强于界面态机制,饱和电流随着应力时间的增加而增加;应力后期,界面态机制强于电子注入机制,饱和电流逐渐减小.此外,研究还发现,器件沟道越长,饱和电流退化越小;漂移区越长,饱和电流退化也越小.
依據退化實驗結果,併結閤半導體器件工藝模擬軟件TCAD倣真,詳細研究瞭高壓絕緣體上硅(SOI)p型橫嚮雙擴散MOSFET (pLDMOS)飽和電流的熱載流子退化機理,以及不同溝道長度和漂移區長度對器件熱載流子退化的影響.研究結果錶明,在應力初始階段,熱電子註入機製彊于界麵態機製,飽和電流隨著應力時間的增加而增加;應力後期,界麵態機製彊于電子註入機製,飽和電流逐漸減小.此外,研究還髮現,器件溝道越長,飽和電流退化越小;漂移區越長,飽和電流退化也越小.
의거퇴화실험결과,병결합반도체기건공예모의연건TCAD방진,상세연구료고압절연체상규(SOI)p형횡향쌍확산MOSFET (pLDMOS)포화전류적열재류자퇴화궤리,이급불동구도장도화표이구장도대기건열재류자퇴화적영향.연구결과표명,재응력초시계단,열전자주입궤제강우계면태궤제,포화전류수착응력시간적증가이증가;응력후기,계면태궤제강우전자주입궤제,포화전류축점감소.차외,연구환발현,기건구도월장,포화전류퇴화월소;표이구월장,포화전류퇴화야월소.
