电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2013年
12期
3-4,7
,共3页
雷剑梅%胡盛东%金晶晶%朱志
雷劍梅%鬍盛東%金晶晶%硃誌
뢰검매%호성동%금정정%주지
金属氧化层半导体场效晶体管%击穿电压%比导通电阻
金屬氧化層半導體場效晶體管%擊穿電壓%比導通電阻
금속양화층반도체장효정체관%격천전압%비도통전조
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor%breakdown voltage%specific on-resistance
研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET).利用埋于整个界面的漏n+层缩短开态时载流子在高电阻率n-漂移区的运动路径,从而降低器件比导通电阻,缓解功率MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛盾.详细研究了器件结构参数对比导通电阻和击穿电压的影响.器件1为50～70 V级器件;器件2利用p型硅条增强降低表面电场(RESURF)效应及优化体内电场分布,使得器件性能进一步提高,在133 V的击穿电压时获得0.85 mΩ· cm2的低比导通电阻.
研究瞭兩種具有埋界麵漏的槽型技術(Trench)功率金屬氧化層半導體場效晶體管(MOSFET).利用埋于整箇界麵的漏n+層縮短開態時載流子在高電阻率n-漂移區的運動路徑,從而降低器件比導通電阻,緩解功率MOSFET器件比導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾.詳細研究瞭器件結構參數對比導通電阻和擊穿電壓的影響.器件1為50～70 V級器件;器件2利用p型硅條增彊降低錶麵電場(RESURF)效應及優化體內電場分佈,使得器件性能進一步提高,在133 V的擊穿電壓時穫得0.85 mΩ· cm2的低比導通電阻.
연구료량충구유매계면루적조형기술(Trench)공솔금속양화층반도체장효정체관(MOSFET).이용매우정개계면적루n+층축단개태시재류자재고전조솔n-표이구적운동로경,종이강저기건비도통전조,완해공솔MOSFET기건비도통전조여격천전압지간적모순.상세연구료기건결구삼수대비도통전조화격천전압적영향.기건1위50～70 V급기건;기건2이용p형규조증강강저표면전장(RESURF)효응급우화체내전장분포,사득기건성능진일보제고,재133 V적격천전압시획득0.85 mΩ· cm2적저비도통전조.
