科技创新与生产力
科技創新與生產力
과기창신여생산력
SCI-TECH INNOVATION & PRODUCTIVITY
2012年
10期
87-90
,共4页
吴国盛%王振文%闻腾%刘淑平
吳國盛%王振文%聞騰%劉淑平
오국성%왕진문%문등%류숙평
afors-het%异质结电池%发射层%界面态%本征层
afors-het%異質結電池%髮射層%界麵態%本徵層
afors-het%이질결전지%발사층%계면태%본정층
采用afors-het数值模拟软件,针对a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)电池结构的非晶层主要参数,模拟研究并讨论了异质结电池的发射层厚度、发射层掺杂浓度、界面态和本征非晶层.提出了如下结论:发射层厚度主要影响短波光子吸收;随着厚度的增加,电池性能均下降;发射层重掺杂是获得好的转化效率的一个条件;界面态较低时对电池性能影响不大,当达到1014cm-2·eV- 1时,电池性能很差;高质量的本征非晶层可以有效钝化硅片,降低界面态密度,提高电池性能,但应控制一定厚度内.
採用afors-het數值模擬軟件,針對a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)電池結構的非晶層主要參數,模擬研究併討論瞭異質結電池的髮射層厚度、髮射層摻雜濃度、界麵態和本徵非晶層.提齣瞭如下結論:髮射層厚度主要影響短波光子吸收;隨著厚度的增加,電池性能均下降;髮射層重摻雜是穫得好的轉化效率的一箇條件;界麵態較低時對電池性能影響不大,噹達到1014cm-2·eV- 1時,電池性能很差;高質量的本徵非晶層可以有效鈍化硅片,降低界麵態密度,提高電池性能,但應控製一定厚度內.
채용afors-het수치모의연건,침대a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)전지결구적비정층주요삼수,모의연구병토론료이질결전지적발사층후도、발사층참잡농도、계면태화본정비정층.제출료여하결론:발사층후도주요영향단파광자흡수;수착후도적증가,전지성능균하강;발사층중참잡시획득호적전화효솔적일개조건;계면태교저시대전지성능영향불대,당체도1014cm-2·eV- 1시,전지성능흔차;고질량적본정비정층가이유효둔화규편,강저계면태밀도,제고전지성능,단응공제일정후도내.