无线互联科技
無線互聯科技
무선호련과기
WUXIAN HULIAN KEJI
2012年
12期
97
,共1页
IGBT%SOA结构设计%元胞结构
IGBT%SOA結構設計%元胞結構
IGBT%SOA결구설계%원포결구
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)自发明以来,为了尽快提高性能,实现产业化.科研工作者在IGBT 结构上不断改进,以期能进一步减小功耗,改善高温特性,扩展开关安全工作区(sOA),降低制造成本.本文从提高IGBT耐压和通态电流出发,简单介绍一下IGBT的结构设计.
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)自髮明以來,為瞭儘快提高性能,實現產業化.科研工作者在IGBT 結構上不斷改進,以期能進一步減小功耗,改善高溫特性,擴展開關安全工作區(sOA),降低製造成本.本文從提高IGBT耐壓和通態電流齣髮,簡單介紹一下IGBT的結構設計.
절연책쌍겁정체관(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)자발명이래,위료진쾌제고성능,실현산업화.과연공작자재IGBT 결구상불단개진,이기능진일보감소공모,개선고온특성,확전개관안전공작구(sOA),강저제조성본.본문종제고IGBT내압화통태전류출발,간단개소일하IGBT적결구설계.
