闽江学院学报
閩江學院學報
민강학원학보
JOURNAL OF MINJIANG UNIVERSITY
2013年
2期
42-44,127
,共4页
瞬态自旋光栅%电子自旋扩散%电子自旋弛豫时间
瞬態自鏇光柵%電子自鏇擴散%電子自鏇弛豫時間
순태자선광책%전자자선확산%전자자선이예시간
利用瞬态自旋光栅方法,在室温下实验研究了本征GaAs量子阱中电子自旋扩散的动力学过程.测得了不同周期的瞬态自旋光栅的衰减率,根据普遍认同的公式:Г=q2Ds+l/гs,计算得到电子自旋扩散系数Ds=104 cm2/s,以及电子自旋弛豫时间гs=46 ps.测得的电子自旋扩散系数与文献报道的N型GaAs量子阱的实验测量结果相吻合,说明样品导电类型对电子自旋扩散系数没有显著影响.而电子自旋弛豫时间гs=46ps与由饱和吸收方法测得的结果:гs=103 ps有明显区别.进一步分析了自旋光栅调制度随时间的衰减规律,对自旋极化衰减率公式:Г=q2Ds+l/Гs进行了修正.
利用瞬態自鏇光柵方法,在室溫下實驗研究瞭本徵GaAs量子阱中電子自鏇擴散的動力學過程.測得瞭不同週期的瞬態自鏇光柵的衰減率,根據普遍認同的公式:Г=q2Ds+l/гs,計算得到電子自鏇擴散繫數Ds=104 cm2/s,以及電子自鏇弛豫時間гs=46 ps.測得的電子自鏇擴散繫數與文獻報道的N型GaAs量子阱的實驗測量結果相吻閤,說明樣品導電類型對電子自鏇擴散繫數沒有顯著影響.而電子自鏇弛豫時間гs=46ps與由飽和吸收方法測得的結果:гs=103 ps有明顯區彆.進一步分析瞭自鏇光柵調製度隨時間的衰減規律,對自鏇極化衰減率公式:Г=q2Ds+l/Гs進行瞭脩正.
이용순태자선광책방법,재실온하실험연구료본정GaAs양자정중전자자선확산적동역학과정.측득료불동주기적순태자선광책적쇠감솔,근거보편인동적공식:Г=q2Ds+l/гs,계산득도전자자선확산계수Ds=104 cm2/s,이급전자자선이예시간гs=46 ps.측득적전자자선확산계수여문헌보도적N형GaAs양자정적실험측량결과상문합,설명양품도전류형대전자자선확산계수몰유현저영향.이전자자선이예시간гs=46ps여유포화흡수방법측득적결과:гs=103 ps유명현구별.진일보분석료자선광책조제도수시간적쇠감규률,대자선겁화쇠감솔공식:Г=q2Ds+l/Гs진행료수정.
