无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2013年
1期
63-68
,共6页
朱琳%余春燕%梁建%马淑芳%邵桂雪%许并社
硃琳%餘春燕%樑建%馬淑芳%邵桂雪%許併社
주림%여춘연%량건%마숙방%소계설%허병사
催化剂Ag%CVD%GaN微纳米结构
催化劑Ag%CVD%GaN微納米結構
최화제Ag%CVD%GaN미납미결구
用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ag纳米颗粒为催化剂制备了微纳米结构的GaN,原料是熔融态的金属Ga和气态的NH3.采用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、光致发光能谱(PL)和霍尔效应测试对样品进行了结构、成分、形貌和发光、电学性能分析.结果表明:生成的自组装GaN为六方纤锌矿的类似小梯子的微纳米单晶结构,且在不同的温度下,GaN的发光性能和电学性能也有所不同,相对于强的紫外发光峰,其它杂质发光峰很微弱,且均呈p型导电.对本实验所得到的GaN微纳米结构的可能形成机理进行了探讨.
用化學氣相沉積法(CVD)在Si(100)襯底上以Ag納米顆粒為催化劑製備瞭微納米結構的GaN,原料是鎔融態的金屬Ga和氣態的NH3.採用X射線衍射儀(XRD)、透射電鏡(TEM)、X-ray能譜儀(EDS)、場髮射掃描電子顯微鏡(SEM)、光緻髮光能譜(PL)和霍爾效應測試對樣品進行瞭結構、成分、形貌和髮光、電學性能分析.結果錶明:生成的自組裝GaN為六方纖鋅礦的類似小梯子的微納米單晶結構,且在不同的溫度下,GaN的髮光性能和電學性能也有所不同,相對于彊的紫外髮光峰,其它雜質髮光峰很微弱,且均呈p型導電.對本實驗所得到的GaN微納米結構的可能形成機理進行瞭探討.
용화학기상침적법(CVD)재Si(100)츤저상이Ag납미과립위최화제제비료미납미결구적GaN,원료시용융태적금속Ga화기태적NH3.채용X사선연사의(XRD)、투사전경(TEM)、X-ray능보의(EDS)、장발사소묘전자현미경(SEM)、광치발광능보(PL)화곽이효응측시대양품진행료결구、성분、형모화발광、전학성능분석.결과표명:생성적자조장GaN위륙방섬자광적유사소제자적미납미단정결구,차재불동적온도하,GaN적발광성능화전학성능야유소불동,상대우강적자외발광봉,기타잡질발광봉흔미약,차균정p형도전.대본실험소득도적GaN미납미결구적가능형성궤리진행료탐토.
