CAJ | 학술논문

采用蒸镀法在Si(001)基片上制备晶粒尺寸35 nm,RMS表面粗糙度优于11nm的Be薄膜.蒸发温度由1 050℃升高至1 150℃时,Be薄膜表面形态由细小等轴晶(1 050～1 070℃)→纤维晶(1 080～1 110℃)→粗大等轴晶(1 120～1 130℃)→粗大纤维晶(1 150℃),其表面粗糙度先增加后略微下降.XRD分析结果表明:不同蒸发温度下沉积Be薄膜均主要由hcp结构的(αBe)相组成,其表面显露晶面随温度增加由(002)向(100)晶面转变.Be原子沉积速率随温度增加呈现指数函数关系增大.实验结果显示:采用水冷Si基片并控制原子沉积速率在2.3 nm/min,能够制备出单相(αBe)纳米晶薄膜.
채용증도법재Si(001)기편상제비정립척촌35 nm,RMS표면조조도우우11nm적Be박막.증발온도유1 050℃승고지1 150℃시,Be박막표면형태유세소등축정(1 050～1 070℃)→섬유정(1 080～1 110℃)→조대등축정(1 120～1 130℃)→조대섬유정(1 150℃),기표면조조도선증가후략미하강.XRD분석결과표명:불동증발온도하침적Be박막균주요유hcp결구적(αBe)상조성,기표면현로정면수온도증가유(002)향(100)정면전변.Be원자침적속솔수온도증가정현지수함수관계증대.실험결과현시:채용수랭Si기편병공제원자침적속솔재2.3 nm/min,능구제비출단상(αBe)납미정박막.