SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误实验研究
SRAM형FPGA순시전리복사공능착오실험연구
Experimental Investigations on Transient Ionizing Radiation Induced Function Errors of SRAM Based FPGA
  • 万方数据
    原子能科学技术 원자능과학기술
    ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2013年 1期 157-160 ,共4页

    齐超%林东生%陈伟%杨善潮%王桂珍%龚建成%马强

    제초%림동생%진위%양선조%왕계진%공건성%마강

    瞬时电离辐射%功能错误%敏感配置位 瞬時電離輻射%功能錯誤%敏感配置位
    순시전리복사%공능착오%민감배치위
    定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关.设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D触发器构成的移位寄存器链,在“强光一号”加速器上开展了FPGA瞬时电离辐射效应实验研究,对比了各功能输出在不同剂量率下的功能错误情况,结果未发现敏感配置位数对功能错误阈值有任何影响,验证了定性分析结论.
    정성분석료SRAM형FPGA순시전리복사공능착오,인위공능착오역치여민감배치위수무관.설계료량충민감배치위수상차현수적유사조표화D촉발기구성적이위기존기련,재“강광일호”가속기상개전료FPGA순시전리복사효응실험연구,대비료각공능수출재불동제량솔하적공능착오정황,결과미발현민감배치위수대공능착오역치유임하영향,험증료정성분석결론.
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