科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2013年
2期
269-275
,共7页
张加宏%刘清惓%顾芳%李敏%冒晓莉%葛益娴
張加宏%劉清惓%顧芳%李敏%冒曉莉%葛益嫻
장가굉%류청권%고방%리민%모효리%갈익한
铪酸钡%单轴应变%电子结构%光学性质%第一性原理
鉿痠鋇%單軸應變%電子結構%光學性質%第一性原理
협산패%단축응변%전자결구%광학성질%제일성원리
从第一性原理出发,在广义梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,着重研究了单轴应变对钙钛矿型陶瓷材料BaHfO3电子结构与光学性质的调制影响.研究结果表明:无应变作用时,BaHfO3是一种宽禁带绝缘体；施加单轴应变后其逐渐呈现半导体材料的特征.BaHfO3带隙随拉应变增加线性减小,压应变与带隙则具有明显的非线性关系.对光学性质的分析发现:施加压(拉)应变后,介电函数虚部尖峰增多(减小),光学吸收带边产生蓝移(红移).此外,单轴应变作用下BaHfO3的静态介电常数和折射率均变大.上述研究表明施加单轴应变有效调制了BaHfO3的电子结构和光学性质,计算结果为应变BaHfO3光电材料的设计与应用提供了一定的理论依据.
從第一性原理齣髮,在廣義梯度近似(GGA)下,採用基于密度汎函理論的平麵波超軟贗勢計算方法,著重研究瞭單軸應變對鈣鈦礦型陶瓷材料BaHfO3電子結構與光學性質的調製影響.研究結果錶明:無應變作用時,BaHfO3是一種寬禁帶絕緣體；施加單軸應變後其逐漸呈現半導體材料的特徵.BaHfO3帶隙隨拉應變增加線性減小,壓應變與帶隙則具有明顯的非線性關繫.對光學性質的分析髮現:施加壓(拉)應變後,介電函數虛部尖峰增多(減小),光學吸收帶邊產生藍移(紅移).此外,單軸應變作用下BaHfO3的靜態介電常數和摺射率均變大.上述研究錶明施加單軸應變有效調製瞭BaHfO3的電子結構和光學性質,計算結果為應變BaHfO3光電材料的設計與應用提供瞭一定的理論依據.
종제일성원리출발,재엄의제도근사(GGA)하,채용기우밀도범함이론적평면파초연안세계산방법,착중연구료단축응변대개태광형도자재료BaHfO3전자결구여광학성질적조제영향.연구결과표명:무응변작용시,BaHfO3시일충관금대절연체；시가단축응변후기축점정현반도체재료적특정.BaHfO3대극수랍응변증가선성감소,압응변여대극칙구유명현적비선성관계.대광학성질적분석발현:시가압(랍)응변후,개전함수허부첨봉증다(감소),광학흡수대변산생람이(홍이).차외,단축응변작용하BaHfO3적정태개전상수화절사솔균변대.상술연구표명시가단축응변유효조제료BaHfO3적전자결구화광학성질,계산결과위응변BaHfO3광전재료적설계여응용제공료일정적이론의거.
