科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2013年
34期
10349-10353
,共5页
Flash%FPGA%三线控制%无效块地址列表
Flash%FPGA%三線控製%無效塊地阯列錶
Flash%FPGA%삼선공제%무효괴지지렬표
flash%FPGA%three-wire control%invalid block address list
为实现大容量存储电路的设计,以FPGA作为控制核心,Flash作为存储芯片,采用组合指令的设计方法,提高控制指令的可靠性,并对其进行有限状态机检测,最大限度防止无效指令;针对存储芯片坏块问题,建立一种快速实时更新的无效块地址列表,将所有无效块地址存储在FPGA内部RAM中,通过地址对比,实现数据的可靠存储.该设计具有一定的通用性,可以扩展到所有类似Flash存储系统中,对其他的电路具有一定的借鉴意义.
為實現大容量存儲電路的設計,以FPGA作為控製覈心,Flash作為存儲芯片,採用組閤指令的設計方法,提高控製指令的可靠性,併對其進行有限狀態機檢測,最大限度防止無效指令;針對存儲芯片壞塊問題,建立一種快速實時更新的無效塊地阯列錶,將所有無效塊地阯存儲在FPGA內部RAM中,通過地阯對比,實現數據的可靠存儲.該設計具有一定的通用性,可以擴展到所有類似Flash存儲繫統中,對其他的電路具有一定的藉鑒意義.
위실현대용량존저전로적설계,이FPGA작위공제핵심,Flash작위존저심편,채용조합지령적설계방법,제고공제지령적가고성,병대기진행유한상태궤검측,최대한도방지무효지령;침대존저심편배괴문제,건립일충쾌속실시경신적무효괴지지렬표,장소유무효괴지지존저재FPGA내부RAM중,통과지지대비,실현수거적가고존저.해설계구유일정적통용성,가이확전도소유유사Flash존저계통중,대기타적전로구유일정적차감의의.
