中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2014年
5期
30-34
,共5页
LVDS接口%存储器
LVDS接口%存儲器
LVDS접구%존저기
此存储器设计是基于已有SRAM基础上增加外围LVDS接口和一些数据处理电路而改进的一种新型存储器.它应用一些有LVDS接口的高速AD上,可直接接收AD过来的数据,写入到存储器中,然后通过LVDS接口进行读操作.此存储器的时钟为500MHz,存储容量为4Mbits,支持数据单沿采样和双沿采样,采用QFN88封装,面积2.5mm* 3mm.
此存儲器設計是基于已有SRAM基礎上增加外圍LVDS接口和一些數據處理電路而改進的一種新型存儲器.它應用一些有LVDS接口的高速AD上,可直接接收AD過來的數據,寫入到存儲器中,然後通過LVDS接口進行讀操作.此存儲器的時鐘為500MHz,存儲容量為4Mbits,支持數據單沿採樣和雙沿採樣,採用QFN88封裝,麵積2.5mm* 3mm.
차존저기설계시기우이유SRAM기출상증가외위LVDS접구화일사수거처리전로이개진적일충신형존저기.타응용일사유LVDS접구적고속AD상,가직접접수AD과래적수거,사입도존저기중,연후통과LVDS접구진행독조작.차존저기적시종위500MHz,존저용량위4Mbits,지지수거단연채양화쌍연채양,채용QFN88봉장,면적2.5mm* 3mm.
