山东科学
山東科學
산동과학
SHANDONG SCIENCE
2012年
3期
54-57
,共4页
光致发光%跃迁%X射线衍射%氮化铟(InN)
光緻髮光%躍遷%X射線衍射%氮化銦(InN)
광치발광%약천%X사선연사%담화인(InN)
photoluminescence transition X-ray ditfraction InN
通过光致发光方法研究了氮化铟（InN）材料的发光特性。实验发现，随着温度的变化，不同结构的InN样品的发光峰位置展现了不同的行为。在具有In团簇结构的样品中，其发光峰位置显示了反常的蓝移现象。这种发光峰能量的反常变化是由In团簇周围的界面态引起的。
通過光緻髮光方法研究瞭氮化銦（InN）材料的髮光特性。實驗髮現，隨著溫度的變化，不同結構的InN樣品的髮光峰位置展現瞭不同的行為。在具有In糰簇結構的樣品中，其髮光峰位置顯示瞭反常的藍移現象。這種髮光峰能量的反常變化是由In糰簇週圍的界麵態引起的。
통과광치발광방법연구료담화인（InN）재료적발광특성。실험발현，수착온도적변화，불동결구적InN양품적발광봉위치전현료불동적행위。재구유In단족결구적양품중，기발광봉위치현시료반상적람이현상。저충발광봉능량적반상변화시유In단족주위적계면태인기적。
We investigated the optical properties of InN films by photoluminescence. Experiments show that InN with different crystal structure exhibits different photoluminescence peaks at different temperature. The photoluminescence peaks show abnormal blue-shift phenomenon for the InN sample with indium clusters. The phenomenon is caused by the interface state between the InN and Indium clusters.
