激光杂志
激光雜誌
격광잡지
LASER JOURNAL
2012年
3期
23-24
,共2页
半导体材料%光子晶体%平面波展开法%能态密度
半導體材料%光子晶體%平麵波展開法%能態密度
반도체재료%광자정체%평면파전개법%능태밀도
semiconductor material%sphotonic crystals%the plane wave expansion method%state density
应用平面波展开法研究Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性，得到填充率f随品格半径a之间的变化对应的能态密度分布，当f=0．2a时归一化频率存在最大光子带隙。通过比较化合物半导体材料为AIP、AJAs、AISb和GaP构成二维方形光子晶体得出GaP有较宽的光子禁带，随着填充率的增加光子晶体带隙增加。研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。
應用平麵波展開法研究Ⅲ-Ⅴ族半導體材料組成光子晶體能態密度特性，得到填充率f隨品格半徑a之間的變化對應的能態密度分佈，噹f=0．2a時歸一化頻率存在最大光子帶隙。通過比較化閤物半導體材料為AIP、AJAs、AISb和GaP構成二維方形光子晶體得齣GaP有較寬的光子禁帶，隨著填充率的增加光子晶體帶隙增加。研究結果為光子晶體器件的研究提供理論依據。
응용평면파전개법연구Ⅲ-Ⅴ족반도체재료조성광자정체능태밀도특성，득도전충솔f수품격반경a지간적변화대응적능태밀도분포，당f=0．2a시귀일화빈솔존재최대광자대극。통과비교화합물반도체재료위AIP、AJAs、AISb화GaP구성이유방형광자정체득출GaP유교관적광자금대，수착전충솔적증가광자정체대극증가。연구결과위광자정체기건적연구제공이론의거。
Application of the plane wave expansion method research □-□ family of semiconductor materials photonic crystal can state density, get filled with a radius of grid work rate f the variations between the corresponding state density distribution, when f = 0.2 a normalized when frequency biggest photonic band gap. Through the comparison for semiconductor compound material, AlP AIAs,AISb GaP and a 2 d square photonic crystals that has a wide GaP of the photon belt, with filling rate increase photonic crystal increase. The results of photonic crystal devices to provide the theory basis.
