电工材料
電工材料
전공재료
ELECTRICAL ENGINEERING MATERIALS
2012年
3期
3-6,10
,共5页
申乾宏%乔秀清%穆成法%陈乐生%樊先平%杨辉
申乾宏%喬秀清%穆成法%陳樂生%樊先平%楊輝
신건굉%교수청%목성법%진악생%번선평%양휘
SnO2%Bi掺杂%纳米粉体%晶粒尺寸%密度%电接触材料
SnO2%Bi摻雜%納米粉體%晶粒呎吋%密度%電接觸材料
SnO2%Bi참잡%납미분체%정립척촌%밀도%전접촉재료
以SnCl4·5H2O和BiCl3为原料,采用化学共沉淀法制备了不同Bi掺杂量的SnO2纳米粉体,利用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的粉体进行了表征.结果表明,当Bi掺杂量低于30％时,SnO2纳米粉体的晶体结构保持为金红石四方相结构,Bi原子部分置换了Sn的位置；当掺杂量为30％时,开始形成杂质相BiOCl.掺杂Bi元素可细化SnO2纳米晶粒,经700℃焙烧后,未掺杂Bi元素的SnO2晶粒尺寸约为29 nm,而掺杂Bi元素的SnO2晶粒尺寸约为10 nm.此外,Bi元素的掺杂还可在一定程度上提高SnO2粉体的密度.
以SnCl4·5H2O和BiCl3為原料,採用化學共沉澱法製備瞭不同Bi摻雜量的SnO2納米粉體,利用熱重-差熱(TG-DTA)、X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對製備的粉體進行瞭錶徵.結果錶明,噹Bi摻雜量低于30％時,SnO2納米粉體的晶體結構保持為金紅石四方相結構,Bi原子部分置換瞭Sn的位置；噹摻雜量為30％時,開始形成雜質相BiOCl.摻雜Bi元素可細化SnO2納米晶粒,經700℃焙燒後,未摻雜Bi元素的SnO2晶粒呎吋約為29 nm,而摻雜Bi元素的SnO2晶粒呎吋約為10 nm.此外,Bi元素的摻雜還可在一定程度上提高SnO2粉體的密度.
이SnCl4·5H2O화BiCl3위원료,채용화학공침정법제비료불동Bi참잡량적SnO2납미분체,이용열중-차열(TG-DTA)、X사선연사(XRD)화소묘전자현미경(SEM)대제비적분체진행료표정.결과표명,당Bi참잡량저우30％시,SnO2납미분체적정체결구보지위금홍석사방상결구,Bi원자부분치환료Sn적위치；당참잡량위30％시,개시형성잡질상BiOCl.참잡Bi원소가세화SnO2납미정립,경700℃배소후,미참잡Bi원소적SnO2정립척촌약위29 nm,이참잡Bi원소적SnO2정립척촌약위10 nm.차외,Bi원소적참잡환가재일정정도상제고SnO2분체적밀도.
