人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1768-1771
,共4页
袁泽明%张永强%姚宁%张兵临
袁澤明%張永彊%姚寧%張兵臨
원택명%장영강%요저%장병림
纳米非晶碳%场致电子发射%FeCl3%微波等离子增强化学气相沉积
納米非晶碳%場緻電子髮射%FeCl3%微波等離子增彊化學氣相沉積
납미비정탄%장치전자발사%FeCl3%미파등리자증강화학기상침적
采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在涂有FeCl3的硅衬底上制备出了纳米非晶碳薄膜.通 过SEM、XRD和拉曼光谱分析了薄膜材料的形貌和结构.并研究了薄膜材料的场发射特性.结果表明:薄膜的开启电场仅为0.39 V/μm;当电场强度为1.85 V/μm时,电流密度高达3.06 mA/cm2；且场发射点均匀、密集、稳定.迭代法计算表明薄膜材料的功函数为3.1 eV,发射点密度约为1.7×105个/cm2.这些均表明该薄膜是一种性能优良的场发射阴极材料.
採用微波等離子體增彊化學氣相沉積(MPECVD)法,在塗有FeCl3的硅襯底上製備齣瞭納米非晶碳薄膜.通 過SEM、XRD和拉曼光譜分析瞭薄膜材料的形貌和結構.併研究瞭薄膜材料的場髮射特性.結果錶明:薄膜的開啟電場僅為0.39 V/μm;噹電場彊度為1.85 V/μm時,電流密度高達3.06 mA/cm2；且場髮射點均勻、密集、穩定.迭代法計算錶明薄膜材料的功函數為3.1 eV,髮射點密度約為1.7×105箇/cm2.這些均錶明該薄膜是一種性能優良的場髮射陰極材料.
채용미파등리자체증강화학기상침적(MPECVD)법,재도유FeCl3적규츤저상제비출료납미비정탄박막.통 과SEM、XRD화랍만광보분석료박막재료적형모화결구.병연구료박막재료적장발사특성.결과표명:박막적개계전장부위0.39 V/μm;당전장강도위1.85 V/μm시,전류밀도고체3.06 mA/cm2；차장발사점균균、밀집、은정.질대법계산표명박막재료적공함수위3.1 eV,발사점밀도약위1.7×105개/cm2.저사균표명해박막시일충성능우량적장발사음겁재료.
