人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1757-1761
,共5页
唐正霞%沈鸿烈%江丰%张磊
唐正霞%瀋鴻烈%江豐%張磊
당정하%침홍렬%강봉%장뢰
多晶硅薄膜%铝诱导晶化%热丝化学气相沉积%外延生长
多晶硅薄膜%鋁誘導晶化%熱絲化學氣相沉積%外延生長
다정규박막%려유도정화%열사화학기상침적%외연생장
铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法.本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑.以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜.铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜.Al/Al2O3/a-Si 叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑.在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌.
鋁誘導晶化法(AIC)是一種低溫製備大晶粒多晶硅薄膜的重要方法.本文分彆基于Al/Al2O3/a-Si疊層和a-Si/SiOx/Al疊層製備瞭AIC多晶硅薄膜,前者錶麵粗糙,後者錶麵光滑.以後者為籽晶層,在其上用HWCVD法300℃低溫下外延生長瞭錶麵形貌與籽晶層相似的多晶硅薄膜.鋁誘導晶化過程中,在原始非晶硅層中會形成多晶硅、非晶硅和鋁的混閤層,去除鋁後殘留的硅將使錶麵粗糙,而在原始鋁層中則形成連續的多晶硅薄膜.Al/Al2O3/a-Si 疊層和a-Si/SiOx/Al疊層的上層分彆是非晶硅層和鋁層,髮生層交換後,前者上層是硅鋁混閤層,因此錶麵粗糙,後者上層是連續的多晶硅薄膜,因此錶麵光滑.在AIC多晶硅薄膜錶麵外延生長多晶硅薄膜等效于鋁誘導多晶硅的晶覈在垂直于薄膜方嚮上的繼續生長,因此外延生長的薄膜與AIC多晶硅薄膜呈現相似的枝晶狀形貌.
려유도정화법(AIC)시일충저온제비대정립다정규박막적중요방법.본문분별기우Al/Al2O3/a-Si첩층화a-Si/SiOx/Al첩층제비료AIC다정규박막,전자표면조조,후자표면광활.이후자위자정층,재기상용HWCVD법300℃저온하외연생장료표면형모여자정층상사적다정규박막.려유도정화과정중,재원시비정규층중회형성다정규、비정규화려적혼합층,거제려후잔류적규장사표면조조,이재원시려층중칙형성련속적다정규박막.Al/Al2O3/a-Si 첩층화a-Si/SiOx/Al첩층적상층분별시비정규층화려층,발생층교환후,전자상층시규려혼합층,인차표면조조,후자상층시련속적다정규박막,인차표면광활.재AIC다정규박막표면외연생장다정규박막등효우려유도다정규적정핵재수직우박막방향상적계속생장,인차외연생장적박막여AIC다정규박막정현상사적지정상형모.
